第14章半导体器 件 1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件 1/58 章目录上一页下一页返回退出
1/58 章目录 上一页 下一页 返回 退出 第14章 半导体器 件 1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件
对于元器件，学习重点放在特性、参数、技术 指标和正确使用方法，不过于追究其内部机理。讨 论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似 ,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标， 就不要过分追究精确的数值。工程上允许一定的误差， 可采用合理估算的方法。 2/58 章目录上一页下一页返回退出
2/58 章目录 上一页 下一页 返回 退出 对于元器件，学习重点放在特性、参数、技术 指标和正确使用方法，不过于追究其内部机理。讨 论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况, 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似 ,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标, 就不要过分追究精确的数值。工程上允许一定的误差， 可采用合理估算的方法
14.1半导体的导电特性 半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化（可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏晶体管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能 力明显改变（可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、晶体管和晶闸管等)。 3/58 章目录上一页下一页返回退出
3/58 章目录 上一页 下一页 返回 退出 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时, 导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件, 如光敏电阻、光敏二极 管、光敏晶体管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质, 导电能 力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、晶体管和晶闸管等）
14.1.1本征半导体 完全纯净的、晶格完整的半导体，称为本征半导体。 价电子 Si Si 共价健 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价键结构 共价键中的两个电子，称为价电子。 4/58 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、晶格完整的半导体，称为本征半导体。 共价健 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价键结构 共价键中的两个电子，称为价电子。 价电子 Si 4/58 Si Si Si
自由电子 本征半导体的导电机理价 电子在获得一定能量 (温度升高或受光照)后，即 可挣脱原子核的束缚，成 为自由电子（带负电），同时 共价键中留下一个空位， 称为空穴（带正电） 空穴 人● 这一现象称为本征激发。 温度愈高，晶体中产 价电子 生的自由电子便愈多。 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于 空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 5/58 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 Si Si Si Si 价电子 本征半导体的导电机理 价 电子在获得一定能量 (温度升高或受光照)后, 即 可挣脱原子核的束缚，成 为自由电子(带负电), 同时 共价键中留下一个空位， 称为空穴（带正电）。 这一现象称为本征激发。 温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下, 空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于 空穴的运动(相当于正电荷的移动)。 空穴 5/58