浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 自关断器件及其驱动,保护电路
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 1 自关断器件及其驱动，保护电路
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 、功率晶体管GTR 结构 Emitter o Collecto 1019 Emitter thickness 5-20 Collector 50-200 region) pnp BJT
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 2 一、功率晶体管GTR 结构∶
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 、功率晶体管GTR 特点:开关频率高,动态性能好,无需强迫换流,控制方便。承受功耗小, 阻断能力差,瞬态过电压,过载能力差。 1、电压电流定额 Uceo:基极开路,集电极电流较大时,集,射极间的击穿电压 p:连续(直流)额定电流 饱和区 放大区 R =0 裁止区
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 3 一、功率晶体管GTR 特点：开关频率高，动态性能好，无需强迫换流，控制方便。承受功耗小， 阻断能力差, 瞬态过电压，过载能力差。 1、电压电流定额 Uceo：基极开路，集电极电流较大时，集，射极间的击穿电压 Icp： 连续（直流）额定电流
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 、功率晶体管GTR 2、开关特性 B B aKT 次 E 〔u 延迟时间 t。:存储时间 t:集电板电流上升时间:t:集电极电流下降时间
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 4 一、功率晶体管GTR 2、开关特性 tα∶延迟时间； t s∶存储时间 t r∶集电极电流上升时间；t f∶集电极电流下降时间
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 、功率晶体管GTR (1) 0SI 截止, (2)t-t,ux:-U2U1、正偏,结电容影响、仍截止,延时t (3)t=t后,导通,放大区饱和区,u2=0 (4)t=tm,ux:U1-U2、欲使电荷消散,需t,仍饱和 (5)t后,饱和区放大区截止区,t 关断:tr=t+tr 开通:ton=t+t
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 5 一、功率晶体管GTR (1) t=t0 - , usr <0, 截止，usc=Ec (2) t=t0 + , usr ∶-U2 U1、正偏，结电容影响、仍截止，延时t d (3) t=td后，导通，放大区饱和区，usc=0 (4) t=tm，usr∶U1 -U2、欲使电荷消散，需t s ,仍饱和 (5) t s后，饱和区放大区截止区，t f 关断∶t off=ts +t f 开通∶t on=td+tr