浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 第五章功率半导体器件的触发驱动电路
-电力电子技术基础- 1 第五章 功率半导体器件的触发驱动电路
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 §5-1对晶闸管触发电路的基本要求 形式脉冲 2功率和脉宽Ucr,Icr 3强触发 4同步及移相范围 5隔离输出脉冲方式及抗干扰能力 脉冲变压器 2
-电力电子技术基础- 2 §5-1 对晶闸管触发电路的基本要求 1 形式 脉冲 2 功率和脉宽 UGT，I GT , 3 强触发 4 同步及移相范围 5 隔离输出脉冲方式及抗干扰能力 脉冲变压器
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 §5-2单结晶体管移相触发电路 结构与特性 1结构 基区电阻Rb=Rb1+Rb2 Rb1随I而变化 3
-电力电子技术基础- 3 §5-2 单结晶体管移相触发电路 一、 结构与特性 1.结构 基区电阻Rbb=Rb1+Rb2 Rb1随Ie而变化
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 §5-2单结晶体管移相触发电路 2.实验电路 U 2:1千 !」 (1)e极开路 R U=0MB=mUb分压比,0.3~0.9 (2)e,bl间加Ee 调节E,R,可以改变U大小 4
-电力电子技术基础- 4 §5-2 单结晶体管移相触发电路 2. 实验电路 (1) e极开路 bb bb b A bb U R R U U 1 η分压比，0.3~0.9 (2) e，b1间加Ee 调节Ee，Re，可以改变Ue大小
浙江大学电气工程学院 电力电子技术基础 §5-2单结晶体管移相触发电路 U。<mUmb: VD反偏、截止 7Ub+UD>U≥1b:VD正偏、但<U。,仍截止 e≥Ub+Ub VD正偏、导通 P区空穴→N区使N区载流子增加阻值↓ Rn→U4=mU→PN结正偏个→l个 实际上U。=E-1R2,个→U。但U较大,PN结正偏↑ 5
-电力电子技术基础- 5 §5-2 单结晶体管移相触发电路 Ue Ubb ∶ VD反偏、截止 Ubb UD Ue Ubb∶ VD正偏、但<UD，仍截止 Ue Ubb UD ∶ VD正偏、导通 P区空穴 N区,使N区载流子增加,阻值 Rb1 U A Ubb PN结正偏 I e 实际上 e e e e e Ue A U E I R ,I ,但U 较大， PN结正偏↑