浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 §1.1晶闸管的结构和工作原理 晶闸管的结构 结构:分为管芯及散热器两大部分。 方式:分为螺栓型与平板型两种。 及 a)嫁栓型 b)平板型
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 1 第一章 功率半导体器件 §１.１ 晶闸管的结构和工作原理 一、 结构: 分为管芯及散热器两大部分。 方式: 分为螺栓型与平板型两种
浙大学电气程学院 电力电子技术基础 6) 自 6)风冷 c)水冷 螺栓型:散热效果差,用于200A以下容量的元件; 平板型:散热效果好,用于200A以上的元件 2
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 2 第一章 功率半导体器件 螺栓型：散热效果差，用于２００Ａ以下容量的元件； 平板型：散热效果好，用于２００Ａ以上的元件
浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 内部结构:四层(PNPN)三端(A。K。G) G K K N P 术 3
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 3 第一章 功率半导体器件 ⚫ 内部结构：四层（P-N-P-N） 三端（A。K。G）
浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 二、晶闸管的工作原理 正向阻断,反向阻断。 、导通条件:1.晶闸管的阳极一阴极之间加正向电压;2 门极加正向电压,使足够的门极电流I流入 关断条件:阳极电流小于维持电流I以下并经过一段 4
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 4 第一章 功率半导体器件 ⚫ 二、 ⚫ 正向阻断，反向阻断。 ⚫ 1、 导通条件：1.晶闸管的阳极—阴极之间加正向电压；2. 门极加正向电压，使足够的门极电流Ig流入。 ⚫ 关断条件：阳极电流小于维持电流IH以下并经过一段 时间
浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 2、内部物理过程: 晶体管的集电极电流为另一名晶体管的基极电流 形成正反馈。 A P A N1 T P N2 VT2 K K TK 5
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 5 第一章 功率半导体器件 ⚫ 2、 内部物理过程： ⚫ 晶体管的集电极电流为另一名晶体管的基极电流 ⚫ 形成正反馈