(2)在I-U曲线的AB段： 自持放电区 电压升高至U,后，扩散和复 合几乎为0，AB为饱和段，良 非自持放电区 好的绝缘状态。电流仅取决于 外电离因素而与电压无关。 U U 6 图1一3气体间隙中电流与外施电 压的关系
（2）在I-U曲线的AB段： 电压升高至 后，扩散和复 合几乎为0，AB为饱和段，良 好的绝缘状态。电流仅取决于 外电离因素而与电压无关。 图1－3 气体间隙中电流与外施电 压的关系 U A
（3)在I-U曲线的BC段： 虽然电流增长很快，但电 流值仍很小，一般在微安 自持放电区 级，且此时气体中的电流 仍要靠外电离因素来维持， 一旦去除外电离因素，气 非自持放电区 隙电流将消失。 电压继续升高至U。时， 电流急剧上升，说明放电 U U 过程又进入了一个新的阶 图1一3气体间隙中电流与外施电 段。此时气隙转入良好的 压的关系 导电状态，即气体发生了 击穿
（3）在I-U曲线的BC段： 虽然电流增长很快，但电 流值仍很小，一般在微安 级，且此时气体中的电流 仍要靠外电离因素来维持， 一旦去除外电离因素，气 隙电流将消失。 电压继续升高至 时， 电流急剧上升，说明放电 过程又进入了一个新的阶 段。此时气隙转入良好的 导电状态，即气体发生了 击穿。 图1－3 气体间隙中电流与外施电 压的关系 U 0 U0
因此，外施电压小于。时的放电是非自 持放电。电压达到U。后，电流剧增，且此时 间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再 需要外电离因素了。外施电压达到)后的放电 称为自持放电，U,称为放电的起始电压
因此，外施电压小于 时的放电是非自 持放电。电压达到 后，电流剧增，且此时 间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再 需要外电离因素了。外施电压达到 后的放电 称为自持放电， 称为放电的起始电压。 U0 U0 U0 U0
二、汤孙理论 1电子崩的形成 外界电离因素使阴极附 视频链接 近产生了一个初始电子，如 电子崩的演示 果空间电场强度足够大，该 电子在向阳极运动时就会引 起碰撞电离，产生一个新的 电子，初始电子和新电子继 续向阳极运动，又会引起新 的碰撞电离，产生更多电子。 图1一4电子崩的示意图
1.电子崩的形成 外界电离因素使阴极附 近产生了一个初始电子，如 果空间电场强度足够大，该 电子在向阳极运动时就会引 起碰撞电离，产生一个新的 电子，初始电子和新电子继 续向阳极运动，又会引起新 的碰撞电离，产生更多电子。 图1－4 电子崩的示意图 视频链接 电子崩的演示 二、汤孙理论
依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似 地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩 为了分析碰撞电离和电子崩引起的电流，引入： 电子碰撞电离系数、B系数、y系数
依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似 地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩 为了分析碰撞电离和电子崩引起的电流，引入： 电子碰撞电离系数 、 系数、 系数