薄层电阻的几何图形设计 常用的薄层电阻图形 1、哑铃型电阻如接 金属 扩散区 触孔边长大于电阻 线宽，电流分散电 (a)哑铃型电阻 (b)条形电阻 阻降低。 2、条形电阻电流聚 集，电阻增大。 3、每个方形拐角贡 A B 献0.5个方块电阻。 4、半圆部分增加3 个方块电阻。 (c) (d) (e) 哑铃型折叠电阻 条形折叠电阻 圆形折叠电阻
常用的薄层电阻图形 1、哑铃型电阻如接 触孔边长大于电阻 线宽，电流分散电 阻降低。 2、条形电阻电流聚 集，电阻增大。 3、每个方形拐角贡 献0.5个方块电阻。 4、半圆部分增加3 个方块电阻
薄层电阻图形尺寸的计算 电流方向 W h 方块电阻的几何图形 L R=P 一R如 hW W 方块电阻：sheet resistivity,@/square)
方块电阻的几何图形 hW L R ＝R□· W L 方块电阻：sheet resistivity,(Ω /square)
电阻线宽设计考虑： 1、精度 △R △R如，△L △W RL W 第一项由工艺决定，第二项可忽略，第三项在线宽与面积上 折中。 2、功耗 芯片内单位面积能承受最大功耗决定了最小线宽 IR Amax =Ro LW .Ro W LW D 单位线宽最大电流 Amax max Ra 由流经电阻的电流可得出满足功耗的最小线宽
电阻线宽设计考虑： 1、精度 第一项由工艺决定，第二项可忽略，第三项在线宽与面积上 折中。 2、功耗 芯片内单位面积能承受最大功耗决定了最小线宽 由流经电阻的电流可得出满足功耗的最小线宽 单位线宽最大电流
0.5-1.0μmMOS工艺中作为导电层的典型的薄层电阻阻值 材料 最小值 典型值 最大值 互连金属 0.05 0.07 0.1 顶层金属 0.03 0.04 0.05 多晶硅 15 20 30 硅-金属氧化物 2 3 6 扩散层 10 25 100 硅氧化物扩散 2 4 10 N阱（或P阱） 1k 2k 5k 单位：2/▣
材料 最小值 典型值 最大值 互连金属 0.05 0.07 0.1 顶层金属 0.03 0.04 0.05 多晶硅 15 20 30 硅-金属氧化物 2 3 6 扩散层 10 25 100 硅氧化物扩散 2 4 10 N阱（或P阱） 1k 2k 5k 0.5-1.0m MOS工艺中作为导电层的典型的薄层电阻阻值 单位:Ω/口
薄层电阻端头和拐角修正 不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子 0.8 0.5 5μm 10μm 0.9 0.6 0.9 0 0.3 20μum 0 0.4 15um 30um 0.4 50um
不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子