UV light Reticle field size 20mm,15mm, 4 die per field 5:1 reduction lens Image exposure on wafer Serpentine 1/5 of reticle field stepping pattern 4 mm.3 mm, 4 die per exposure Wafer Stepper exposure field
IMMERSION SETUP Projection optics Liqaid Liquid recovery supply Wafer Waler stage Immersion liquid Scanning motion 用于浸入式光刻的喷淋系统，它从晶片一侧喷淋液体，然 后从另一侧将液体吸走。（资料来源：Nikon)
用于电路图形生成的光刻技术是C按比例缩小的最关键技 术。 光学光刻技术通过不断缩短光源的波长和提高透镜的数值 孔径，使分辨率不断提高； 采用带有子场扫描的193nm波长的步进光刻机可以保证实 现90nm的特征尺寸； 有必要发展新的光致杭蚀剂（光刻胶）和甩胶”工艺； Mask illumination system 0.61 Ultraviolet light R=- NA Wafer =K1 handlers NA Mask Lens Wafer supply Refractive Wafer index of water =1.4 →1.4×NA Wafer stage Schematics of an immersion lithography setup
• 用于电路图形生成的光刻技术是IC按比例缩小的最关键技 术。 • 光学光刻技术通过不断缩短光源的波长和提高透镜的数值 孔径，使分辨率不断提高； • 采用带有子场扫描的193nm波长的步进光刻机可以保证实 现90nm的特征尺寸； • 有必要发展新的光致杭蚀剂(光刻胶)和甩胶”工艺；
更短波长光源（如193nm波长的ArF准分子激光、 157nm波长的F2准分子激光等深紫外光源)、新透镜 材料和更高数值孔径光学系统的加工技术成为急需解 决的问题； 由于光刻尺寸要小于光源波长，使得相移和光学邻近效 应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技 术； 替代光学光刻的下一代光刻技术的研究迅速升温，主要 有极紫外(EUV,Extreme Ultraviolet)投影光刻、X射线 XRL)光刻、电子束(EBL)投影光刻、离子束BL)投 影光刻等，这些技术在更小尺寸的生产中将替代现有的 光学光刻技术
• 更短波长光源(如193nm波长的ArF准分子激光、 157nm波长的F2准分子激光等深紫外光源)、新透镜 材料和更高数值孔径光学系统的加工技术成为急需解 决的问题; • 由于光刻尺寸要小于光源波长,使得相移和光学邻近效 应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技 术； • 替代光学光刻的下一代光刻技术的研究迅速升温,主要 有极紫外(EUV,Extreme Ultraviolet)投影光刻、X射线 (XRL)光刻、电子束(EBL)投影光刻、离子束(IBL)投 影光刻等,这些技术在更小尺寸的生产中将替代现有的 光学光刻技术
EUV光刻技术用波长为10~14nm的极紫外光作光源。 由于材料的强烈吸收，其光学系统必须采用反射形式 (见图1)。EUV光刻技术目前被视为保证“摩尔定律 进入纳米领域后依旧适用的法宝，它可使芯片上蚀刻 电路的等级达到0.06μm以下。相比今天的制造技术 用EUV技术生成的芯片，其集成度可提高100倍，存储 容量也可以达到目前的100倍以上。XRL技术的光源 波长约为1nm。由于容易实现高分辨率曝光，而被认 为是所有后光学光刻技术中最为成熟的技术。XRL 的主要困难是获得具有良好机械物理特性的掩模衬 底，而衬底材料目前认为最合适的是SC
• EUV光刻技术用波长为10～14nm的极紫外光作光源。 由于材料的强烈吸收,其光学系统必须采用反射形式 (见图1)。EUV光刻技术目前被视为保证“摩尔定律” 进入纳米领域后依旧适用的法宝,它可使芯片上蚀刻 电路的等级达到0.06μm以下。相比今天的制造技术, 用EUV技术生成的芯片,其集成度可提高100倍,存储 容量也可以达到目前的100倍以上。XRL技术的光源 波长约为1nm。由于容易实现高分辨率曝光,而被认 为是所有后光学光刻技术中最为成熟的技术。XRL 的主要困难是获得具有良好机械物理特性的掩模衬 底,而衬底材料目前认为最合适的是SiC