光刻的工艺流程 1、清洁处理：清洁的表面才能与光刻胶有良好的粘附； 2、涂胶：在待光刻的硅片表面均匀地涂上一层光刻胶。 要求粘附良好，均匀； 3、前烘：使光刻胶干燥，以增强胶膜与硅片表面的粘附 性和胶膜耐磨性，同时使曝光时能进行充分的光化学反应； 4、曝光及显影：在曝过光的硅片表面的胶膜上显影出与 掩膜版相同（正性光刻胶）或相反（负性光刻胶）的图形， 显影后的硅片必须严格检查，以保证光刻的质量 5、坚膜：使胶膜与硅片之间紧密粘附，防止胶层脱落， 同时增强胶膜本身的抗蚀能力； 6、腐蚀：以坚膜后的光刻胶作为掩蔽层，对衬底进行干 法或湿法腐蚀，使之得到与光刻胶膜图形相应的图形： 7、去胶：以干法或湿法去除光刻胶膜
1、清洁处理：清洁的表面才能与光刻胶有良好的粘附； 2、涂胶：在待光刻的硅片表面均匀地涂上一层光刻胶。 要求粘附良好，均匀； 3、前烘：使光刻胶干燥，以增强胶膜与硅片表面的粘附 性和胶膜耐磨性，同时使曝光时能进行充分的光化学反应； 4、曝光及显影：在曝过光的硅片表面的胶膜上显影出与 掩膜版相同（正性光刻胶）或相反（负性光刻胶）的图形， 显影后的硅片必须严格检查，以保证光刻的质量； 5、坚膜：使胶膜与硅片之间紧密粘附，防止胶层脱落， 同时增强胶膜本身的抗蚀能力； 6、腐蚀：以坚膜后的光刻胶作为掩蔽层，对衬底进行干 法或湿法腐蚀，使之得到与光刻胶膜图形相应的图形； 7、去胶：以干法或湿法去除光刻胶膜
SiO2 a. 衬底 准备 抗蚀剂 b.涂胶 c.前烘 ↓↓ ↓↓↓ 掩膜版 d.曝光 發 e. g.腐蚀 h.去胶
Negative photoresist coat Si02(-1μm) SiO2 n-type silicon SI (a)Oxidation UV light (b)Lithography preparation Glass plate Opaque pattern Hardened resist (d)Unexposed photoresist removed (c)Exposure by developer (e)SiO2 etched with NH F+HF (f)Exposed photoresist removed with H2SO4 Basic photolithography and pattern transfer.Example uses an oxidized silicon wafer and a negative photoresist system. Process steps include exposure,development,oxide etching,and resist stripping
有掩模方式 接触式 非接触式 接近式 反射 投影式 全场投影 曝光方式 折射〈 步进投影 矢量扫描 扫描步进投影 光栅扫描 无掩模方式 混合扫描 (聚焦扫描方式)
有掩模方式 无掩模方式 （聚焦扫描方式） 接触式 非接触式 接近式 投影式 反射 折射 全场投影 步进投影 扫描步进投影 矢量扫描 光栅扫描 混合扫描 曝 光 方 式
Auto alignment system Reticle stage Reticle library Illuminator (Hg lamp 365nm) Reticle handler 5:1 Reduction lens NA=.45-.63 Wafer handler Anti-vibration system Wafer stage Auto focus system