8.2只读存储器 (ROM) 二、可编程ROM(PROM) 出厂时每一个交叉点都接有一个带熔丝的管子，存储的信息为“全1”。 编程时，通过编程器给将要写“0”的存储单元的管子加一高电压，通一大电 流，使其熔丝熔断，相当于将该管子“去除”了，即写入了0。 字线 熔丝熔断相当于写“0” 缺点： 熔丝连接相当于存“1” 只能编程一次 D2 机电学院电气工程系 输出数据 上一页 下一页回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 二、可编程ROM（PROM） 熔丝熔断相当于写“0” 熔丝连接相当于存“1” 字线 输出数据 W0 D 1 DD 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . W1 W2 W3 1 D0 D1 1 1 D2 V 出厂时每一个交叉点都接有一个带熔丝的管子，存储的信息为“全1”。 编程时，通过编程器给将要写“0”的存储单元的管子加一高电压，通一大电 流，使其熔丝熔断，相当于将该管子“去除”了，即写入了0。 缺点: 只能编程一次 8.2 只读存储器（ROM）
8.2只读存储器 (ROM 三、光擦除可编程ROM(EPROM) EPROM也是由用户编程，但写错了可以擦除重写。 EPROM中采用了N沟道叠栅MOS管(SMOS)做存储单元。 控制栅极Gc 源极S 漏极D 漏极D 控制栅Gc 浮置栅Gf 浮栅Gf 源极S P型村底 机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 三、光擦除可编程ROM（EPROM） EPROM也是由用户编程，但写错了可以擦除重写。 控制栅Gc 源极S 漏极D 浮置栅 浮栅Gf Gf N N 控制栅极Gc + 源极S 漏极D SiO2 + P型衬底 EPROM中采用了N沟道叠栅MOS管（SIMOS）做存储单元。 8.2 只读存储器（ROM）
8.2只读存储器 (ROM (1)EPROME的编程。出厂时所有管子的浮置栅都不带电，存储“全1”。 编程时，给要写“0”的管子漏一源间加高电压，使浮置栅带上负电荷，使 开启电压大大提高。这样在“读操作”时，加高电平它也不导通了，效果 上相当于这个管子被“去除”了，该单元就写入了0。. (2)EPROM的擦除。用紫 字线 外线照射，浮栅上聚集的电 5 子获得足够的能量，形成光 电流而被泄放掉，该单元回 巧 2 到1状态。 EPROM的缺点： 擦除较慢。 1 不能按单元擦除。 输出数据 机电学院电气工程系 上一页下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 字线 输出数据 W0 D 1 DD 3 1 D 1 D 0 1 1 D 2 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . W1 W2 W3 线 位 （1）EPROM的编程。出厂时所有管子的浮置栅都不带电，存储“全1”。 编程时，给要写“0”的管子漏—源间加高电压，使浮置栅带上负电荷,使 开启电压大大提高。这样在“读操作”时，加高电平它也不导通了，效果 上相当于这个管子被“去除”了，该单元就写入了0。 （2）EPROM的擦除。用紫 外线照射，浮栅上聚集的电 子获得足够的能量，形成光 电流而被泄放掉，该单元回 到1状态。 EPROM的缺点: 擦除较慢。 不能按单元擦除。 8.2 只读存储器（ROM）