四、怕有沉淀法理论基础 根据化学反应动力学理论，晶核的生成速率为： N-KOXP 16πo3M2 3RTp(InS)2 液固界面张力 M 溶质的分子质量 p—溶质颗粒的密度 S—溶液的过饱和度 K一一反应速率常数 由上式可以看出，晶粒的生成速率对过饱和度S十分敏 感，S愈大，界面张力σ愈小，所需活化能愈低，生成速率愈 大
由上式可以看出，晶粒的生成速率对过饱和度S十分敏 感，S愈大，界面张力σ愈小，所需活化能愈低，生成速率愈 大。 3 3 2 3 2 3 (ln ) 16 exp R T S M N K 根据化学反应动力学理论，晶核的生成速率为： 四、 均匀沉淀法理论基础 σ——液固界面张力 M——溶质的分子质量 ρ——溶质颗粒的密度 S——溶液的过饱和度 K——反应速率常数
四、物为沉淀法理论基础 另一过程是核的生长过程，即在过饱和 溶液中形成晶粒以后，溶质在晶粒上不断地 沉积，使晶粒不断长大。晶粒线性生长速率 的普遍式为 R=A△Gvexp(-B/T) 式中A、B一与系统性质有关的常数 △Gv=RT In S △GV一固态分子的自由能变化
另一过程是核的生长过程，即在过饱和 溶液中形成晶粒以后，溶质在晶粒上不断地 沉积，使晶粒不断长大。晶粒线性生长速率 的普遍式为： R AGvexp B／T 式中A、B——与系统性质有关的常数 ΔGv——固态分子的自由能变化 Gv VRT ln S 四、 均匀沉淀法理论基础
四、怕为沉淀法理轮基础 当晶粒的生成速率小于生长速率时，有利 于生成大而少的粗粒子；当生成速率大于生长 速率时，有利于纳米颗粒的形成。因此，为了 获得纳米粒子须保证晶粒的生成速率大于生长 速率。 通常通过使反应在较大的过冷度或高的过 饱和度下进行来达到成核速率大于生长速率
当晶粒的生成速率小于生长速率时，有利 于生成大而少的粗粒子；当生成速率大于生长 速率时，有利于纳米颗粒的形成。因此，为了 获得纳米粒子须保证晶粒的生成速率大于生长 速率。 通常通过使反应在较大的过冷度或高的过 饱和度下进行来达到成核速率大于生长速率。 四、 均匀沉淀法理论基础
五、影响粉体制备的因素 1、过饱和度 2、反应物配比 3、反应温度 4、反应时间 5、煅烧温度和时间 6、表面活性剂
五、 影响粉体制备的因素 1、过饱和度 2、反应物配比 3、反应温度 4、反应时间 5、煅烧温度和时间 6、表面活性剂
① 过饱和度 过饱和度越大，生成（成核)速率越快。 加快成核速率，降低生长速率，有利于生成粒 径细小的晶粒。实际上过饱和度增加的同时也 有利于晶核的生长，但随着过饱和度的进一步 提高，生成速率增长不占优势，因此，在溶液 中析出的纳米氧化物粒径就会小
① 过饱和度 过饱和度越大，生成（成核）速率越快。 加快成核速率，降低生长速率，有利于生成粒 径细小的晶粒。实际上过饱和度增加的同时也 有利于晶核的生长，但随着过饱和度的进一步 提高，生成速率增长不占优势，因此，在溶液 中析出的纳米氧化物粒径就会小