封装成品率 完好的品片數目 Yc= 品片的總數 6
6 封装成品率 晶片的總數 完好的晶片數目 YC =
整体的成品率 Yr=YWXYD×YC Integration Product Fab Sort Assembly Overall Level Maturity Yield Yield Final Test Yield % 喇 % % ULSI Mature 95 85 97 78 ULSI Mid 88 65 92 53 ULSI Introduction 65 35 70 16 LSI Mature 98 95 98 91 Discrete Mature 99 97 98 94 整体的成品率可以决定一间生产工厂是赚 钱还是赔钱
7 整体的成品率 YT =YW YD YC 整体的成品率可以决定一间生产工厂是赚 钱还是赔钱
晶圆生产成品率的制约因素 ·工艺制程步骤的数量 -ULSI:50-100个工艺操作 SLSI:600个工艺操作 工艺操作包括多个工艺步骤及分步 分步骤 对晶圆操作次数 1.将晶圆从片架盒中取出并放入清洗舟内 2 2.晶圆清洗、漂洗和甩干 3.将晶圆从清洗盒中取出、检查并放到氧化舟内 2 4.将氧化舟从反应炉中取出 0 5.将晶圆从氧化舟中取出并放回到片架盒中 1 6.将测试的晶圆从片架盒中取出 2 对晶圆操作总数 8 8
晶圆生产成品率的制约因素 8 • 工艺制程步骤的数量 − ULSI：50-100个工艺操作 − SLSI：600个工艺操作 − 工艺操作包括多个工艺步骤及分步 分步骤 对晶圆操作次数 1. 将晶圆从片架盒中取出并放入清洗舟内 2 2. 晶圆清洗、漂洗和甩干 1 3. 将晶圆从清洗盒中取出、检查并放到氧化舟内 2 4. 将氧化舟从反应炉中取出 0 5. 将晶圆从氧化舟中取出并放回到片架盒中 1 6. 将测试的晶圆从片架盒中取出 2 对晶圆操作总数 8
晶圆生产成品率的制约因素 ·晶圆破碎和弯曲 -12英寸晶圆厚度800um 一热处理 一自动化设备 ·工艺制程不断变化 ·光刻掩模版缺陷 一污染物 - 石英板基中的裂痕 一图案变形 9
9 晶圆生产成品率的制约因素 • 晶圆破碎和弯曲 − 12英寸晶圆厚度800m − 热处理 − 自动化设备 • 工艺制程不断变化 • 光刻掩模版缺陷 − 污染物 − 石英板基中的裂痕 − 图案变形
缺陷与成品率 Yoc (1+DA)” Y:整体成品率 D:致命性缺陷密度 A:芯片面积 n：制造步骤 10
10 缺陷与成品率 n DA Y (1 ) 1 + Y：整体成品率 D：致命性缺陷密度 A：芯片面积 n ：制造步骤