第二节硅质原料 1.2.2 SO,晶型实际转变情况 ■实际转化时升温快，常出现过渡状态（半安定方石英） 但无论是否有矿化剂，一石英的转化过程都经过半安定方 石英阶段。 有矿化剂存在时，最终有鳞石英形成；无矿化剂时，最终形成 方石英。 ·矿化剂：RO,R2O;矿化剂来源：熔剂性原料。 ■在普通陶瓷生产过程中，石英的转化主要是二级转化，而不是 一级转化。 。实际生产中，由于烧成温度的限制（一般在1300℃），最终 石英以半安定方石英存在，即所说的方石英
第二节 硅质原料 ❖ 1.2.2 ——SiO2晶型实际转变情况 ▪ 实际转化时升温快，常出现过渡状态（半安定方石英） 但无论是否有矿化剂，—石英的转化过程都经过半安定方 石英阶段。 ▪ 有矿化剂存在时，最终有鳞石英形成；无矿化剂时，最终形成 方石英。 ▪ 矿化剂：RO，R2O；矿化剂来源：熔剂性原料。 ▪ 在普通陶瓷生产过程中，石英的转化主要是二级转化，而不是 一级转化。 ▪ 实际生产中，由于烧成温度的限制（一般在1300 ℃），最终 石英以半安定方石英存在，即所说的方石英
第二节 硅质原料 冬问题一：为什么普通陶瓷胎体中无鳞石英？ ■矿化剂：游离的钾钠离子矿化作用最强，其次为钙镁离子。但 钾钠离子以长石形式加入，钾钠离子与长石结合牢固，起不到 矿化剂的作用，所以无鳞石英。当长石和CaO同时加入做矿化剂， cao取代长石中的钾离子，则钾离子游离出来，起到矿化剂的作 用。 ■浓度：由于o一石英→0一鳞石英为析晶过程，必须有一个饱 和浓度，而半安定方石英溶解速度大，在陶瓷生产配方范围内难 达饱和，不可能形成鳞石英。 ■在陶瓷实际生产过程中，无鳞石英产生的条件，所以在瓷相的 显微结构中无鳞石英
第二节 硅质原料 ❖ 问题一：为什么普通陶瓷胎体中无鳞石英？ ▪ 矿化剂：游离的钾钠离子矿化作用最强，其次为钙镁离子。但 钾钠离子以长石形式加入，钾钠离子与长石结合牢固，起不到 矿化剂的作用，所以无鳞石英。当长石和CaO同时加入做矿化剂， CaO取代长石中的钾离子，则钾离子游离出来，起到矿化剂的作 用。 ▪ 浓度：由于—石英→ —鳞石英为析晶过程，必须有一个饱 和浓度，而半安定方石英溶解速度大，在陶瓷生产配方范围内难 达饱和，不可能形成鳞石英。 ▪ 在陶瓷实际生产过程中，无鳞石英产生的条件，所以在瓷相的 显微结构中无鳞石英
第二节硅质原料 ￥1.2.2 SO,晶型转化与生产应用 ·石英预烧，利于粉碎：1000°C煅烧→急冷→变松，利用 石英573°C晶型转化时的体积变化效应。 炻器、建材、彩釉砖，尽量减少石英用量，或使石英颗粒尽量 细，以适应快速烧成的特点。 ■陶瓷的烧成过程，必须注意升降温速度的问题，之所以要控制 升降温速度就是由于一些原材料在加热或冷却过程中伴随着体积 的膨胀或收缩。如果控温不当，这些膨胀或收缩在极短的时间完 成，会造成坯体或制品开裂
第二节 硅质原料 ❖ 1.2.2 ——SiO2晶型转化与生产应用 ▪ 石英预烧，利于粉碎：1000 C煅烧 → 急冷 → 变松 ，利用 石英573 C晶型转化时的体积变化效应。 ▪ 炻器、建材、彩釉砖，尽量减少石英用量，或使石英颗粒尽量 细，以适应快速烧成的特点。 ▪ 陶瓷的烧成过程，必须注意升降温速度的问题，之所以要控制 升降温速度就是由于一些原材料在加热或冷却过程中伴随着体积 的膨胀或收缩。如果控温不当，这些膨胀或收缩在极短的时间完 成，会造成坯体或制品开裂
第二节 硅质原料 ÷1.2.3 SO,在陶瓷生产中的作用 ■烧成前，石英为瘠性料，可调节泥料的可塑性，是生坯水分排 出的通道，降低坯体的干燥收缩，增加生坯的渗水性，缩短干燥 时间，防止坯体变形；利于施釉。 ·烧成时，石英的加热膨胀可部分抵消坯体的收缩；高温时石英 部分溶解于液相，增加熔体的粘度，未溶解的石英颗粒构成坯体 的骨架，防止坯体软化变形。 ■可提高坯体的机械强度，透光度，白度。 釉料中，SO,是玻璃质的主要成分，提高釉料的机械强度，硬 度，耐磨性，耐化学侵蚀性；提高釉料的熔融温度与粘度
第二节 硅质原料 ❖ 1.2.3 ——SiO2在陶瓷生产中的作用 ▪ 烧成前，石英为瘠性料，可调节泥料的可塑性，是生坯水分排 出的通道，降低坯体的干燥收缩，增加生坯的渗水性，缩短干燥 时间，防止坯体变形；利于施釉。 ▪ 烧成时，石英的加热膨胀可部分抵消坯体的收缩；高温时石英 部分溶解于液相，增加熔体的粘度，未溶解的石英颗粒构成坯体 的骨架，防止坯体软化变形。 ▪ 可提高坯体的机械强度，透光度，白度。 ▪ 釉料中,SiO2是玻璃质的主要成分，提高釉料的机械强度，硬 度，耐磨性，耐化学侵蚀性；提高釉料的熔融温度与粘度
第二节硅质原料 $1.2.3 陶瓷工业对硅质原料的质量要求 ·控制Si02含量：细瓷，釉料，高压电瓷>98%； 墙地砖要求>85%。 控制杂质(Fe03与Ti02)含量： 高档白瓷：白度大于75°，Fe203<0.3%; 高压电瓷：Fe203+Ti02<0.6%(Fez03高温分解， 有气体产生，留下气孔，高压下易被击穿。 ·其它炻器、卫生瓷据白度而定
第二节 硅质原料 ❖ 1.2.3 ——陶瓷工业对硅质原料的质量要求 ▪ 控制 SiO2含量：细瓷，釉料，高压电瓷＞98%； 墙地砖要求＞ 85%。 ▪ 控制杂质（Fe2O3与TiO2）含量： 高档白瓷：白度大于75 ，Fe2O3 0.3%； 高压电瓷： Fe2O3+TiO2 0.6%（ Fe2O3高温分解， 有气体产生，留下气孔，高压下易被击穿。 ▪ 其它炻器、卫生瓷据白度而定