浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 晶闸管的阳极电流应为: a,la+alk+I Ⅰ+I 1+a2I (a1+a2) 6
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 6 第一章 功率半导体器件 ⚫ 晶闸管的阳极电流应为: a c c c a k co I = I + I + I = I + I + I 1 2 0 1 2 k g a I = I + I 1 ( ) 1 2 2 − + + = co g a I I I
浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 (1)l=0→12=0→12→a2→la2(l1)→l1→a1↓ (2)↑→121→a2↑→12个→个→a个→1a个→12个 当a1+a2=1时,lg=0 1-(a1+c2 导通后,I无影响 (3)关断 a2均下降 1-(a1+a2)=1 元件关断 7
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 7 第一章 功率半导体器件 (1) I g = 0 I b2 = 0 I e2 2 I c2 (I b11) I e1 1 a c0 I = I (2) I g I e2 2 I c2 I e1 1 I c1 I b2 1 ( ) − 1 + 2 = ce a I 当α1+α2=1时，Ig=0 I 导通后，I g无影响 (3)关断 I a < IH , α1、α2均下降， 1− (1 +2 ) =1 a c0 I = I 元件关断
浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 §1-2晶闸管的特性 晶闸管的阳极伏安特性 理想特性 实际特性 ha>ln②l ①正向阻断高阻区 ① ②负阻区 ③正向导通低阻区 rU↓_ 8 ④反向阻断高阻区
浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 8 第一章 功率半导体器件 ⚫ §１-２晶闸管的特性 一. 理想特性 实际特性 ① 正向阻断高阻区; ② 负阻区; ③ 正向导通低阻区; ④ 反向阻断高阻区