引起串扰的另一个重要原因是互容Cm，它由两条导线通 过电场耦合产生。在电路模型中，由电场激发的耦合称为 互容。互容Cm在受扰线上引入一个电流，该感应电流与 施扰线上的电压变化率成正比，其幅值如式： aggr essor dt 电场方向图
• 引起串扰的另一个重要原因是互容Cm ，它由两条导线通 过电场耦合产生。在电路模型中，由电场激发的耦合称为 互容。互容Cm 在受扰线上引入一个电流，该感应电流与 施扰线上的电压变化率成正比，其幅值如式：
在多互连线结构中，单导线情况已经不再适用，为了完全评 估互连线系统的电气特性，需要引入互连线矩阵( Interconnect Matrix)的概念。互连线矩阵包括电感矩阵 与电容矩阵，描述了由N条导线组成的系统，常应用于场 仿真器 电感矩阵= 小N Lw为互连线N的自电感，L为互连线M与互连线N之间 的互感。 电容矩阵= C M C、为导线N接地电容加上导线N对其他导线电容的总电容 之和，CN为导线M与导线N之间的互容
• 在多互连线结构中，单导线情况已经不再适用，为了完全评 估互连线系统的电气特性，需要引入互连线矩阵（ Interconnect Matrix）的概念。互连线矩阵包括电感矩阵 与电容矩阵，描述了由 N 条导线组成的系统，常应用于场 仿真器 LNN 为互连线 N 的自电感，LMN 为互连线 M 与互连线 N 之间 的互感。 CNN 为导线 N 接地电容加上导线 N 对其他导线电容的总电容 之和，CMN为导线 M 与导线 N 之间的互容
当干扰线上的信号翻转时，由于 两线之间的寄生电容两端电压不 「扰线 由串扰脉 能突变，导致受扰线上的电压也 冲产生的 随之变化。 错误信号 线间寄生电容→ 如果受扰线上传输的信号是稳定 的，而且干扰线产生的脉冲的宽 受扰线 度又等于或大于信号的保持时间， (a)串扰使逻细门误判 那么受扰线上的逻辑门就可能会 误判，如图(a) 干扰线 如果受扰线上传输的信号正在翻 苹迟增加 转，那么串扰脉冲就会与翻转信 线何寄生电容 号叠加或抵消。若翻转信号被叠 加，则受扰线上的时序得到改善 受扰线 若翻转信号被抵消，则受扰线上 (6)申扰使时序恶化 的时序被恶化，如图(b)
• 当干扰线上的信号翻转时，由于 两线之间的寄生电容两端电压不 能突变，导致受扰线上的电压也 随之变化。 • 如果受扰线上传输的信号是稳定 的，而且干扰线产生的脉冲的宽 度又等于或大于信号的保持时间， 那么受扰线上的逻辑门就可能会 误判，如图（a）。 • 如果受扰线上传输的信号正在翻 转，那么串扰脉冲就会与翻转信 号叠加或抵消。若翻转信号被叠 加，则受扰线上的时序得到改善， 若翻转信号被抵消，则受扰线上 的时序被恶化，如图（b）
电容和电感均是“惯性元件 充电过程 。對 <o 百分地的 充电过程 放电过程 0 0% c,6 1 Te 632% 632% 2 te 865% 3 te 95% 4 To 982% 5 to 100% TC. 3. TC=Rcx C TD =Rpx C Ve=V(1-etre) Ve=V e tiro ic=V/Rce tire ic=-(V/Rp)e trre
电容和电感均是“惯性元件
CMOS反相器输出电压 Rgd 的上冲和下冲是由于输 一gs 入脉冲透过栅漏电容 Rgs gm(O)vgs Cgd而产生。 spice3 6.4 一v(out) quit Input hardcopy 6.0 4. 4.0 4445444e444p144t4e55+4e Output 2.0 I PHL IPLH 2.) 0.0 0.,0 1.0 2.0 3,0 time nS Input pulse feeding through the gate-drain capacitance -2.0d ).7ns 1.0ns 1.50s 2.0ns 2.5ns aV(Vout V(2) 'Time
CMOS反相器输出电压 的上冲和下冲是由于输 入脉冲透过栅漏电容 Cgd而产生