3.1二极管的开关特性及二极管门电路 反向恢复时间：te=t十t 产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间t。就是存储电荷消散所需要的时间。 P区 耗尽层N区 0 0 0 2 P区中电子 N区中空穴 浓度分布 浓度分布 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时 间称为开通时间。 @ 机电学院电气工程系 上一页下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时 间称为开通时间。 反向恢复时间：tre ＝t s十t t 产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。 3.1 二极管的开关特性及二极管门电路 + - P N Lp x 浓度分布 P 耗尽层 N 区 区中电子 区中空穴 区 浓度分布 Ln
3.1二极管的开关特性及二极管门电路 二、二极管门电路 1.二极管与门 输 入 输出 U (V) UB (V) UL (V) 9+Vcc(+5V) OV Ov OV R 0V 5V Ov 3k2 5V OV 0v AO OL 5V 5V 5V D2 与逻辑真值表 输 输出 A B L 0 0 0 L=AB 0 1 0 1 0 机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 二、二极管门电路 1.二极管与门 0 1 0 1 A B L 0 0 1 1 输 入 0 0 0 1 输出 与逻辑真值表 3.1 二极管的开关特性及二极管门电路 B +V A L D D 3kΩ R CC (+5V) 1 2 & L=A·B B A 输 入 输出 UA（V） UB（V） UL（V） 0V 0V 0V 0V 5V 0V 5V 0V 5V 5V 0V 5V
3.1二极管的开关特性及二极管门电路 2,或门电路 输 入 输出 D U(V） UB (V) UL (V) Ov Ov 0v Ov 5V 5V 5V OV 5V 5V 5V 5V 3k2 或逻辑真值表 输入 输出 A B L 0 0 0 L=A+B 0 1 1 0 1 机电学院电气工程系 上一页下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 2．或门电路 0 1 0 1 A B L 0 0 1 1 输 入 0 1 1 1 输出 或逻辑真值表 3.1 二极管的开关特性及二极管门电路 A L B D D 3kΩ 2 1 R ≥1 L=A+B A B 输 入 输出 UA（V） UB（V） UL（V） 0V 0V 0V 0V 5V 5V 5V 0V 5V 5V 5V 5V
3.2三极管的开关特性及三极管门电路 一、三极管的开关特性 1.三极管电路的习惯画法 Re R,150k R,150k B +BB BB 12V (6V BE 机电学院电气工程系 上一页下一页回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 1. 三极管电路的习惯画法 一、三极管的开关特性 3.2 三极管的开关特性及三极管门电路 6V T - C c CC 150k + - U 4k CE V + 12V V U b BE R IB R BB I +V + T V R CC c 150k I R B b BB (6V) (12V) BE U + - U + - CE IC
3.2三极管的开关特性及三极管门电路 2.图解法 R,150k 直流负载线 UCE=VCC-IcRC V BE 6V ic(mA) IB =100uA 2 非线性部分 线性部分 N(0, CC IB =80uA 用估算法求 (0,3) IB =60uA Ico IB =40uA I= VB-0.7Y ≈40A R, 1.5mA IB =20uA 直流 B=40μA Ig-0 UCEO 6V -UCE (V) Ic=1.5mA M(Vcc0) 工作点 (12,0) LUCEO-6V 机电学院电气工程系 上一页下一页回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 6V T - C c CC 150k + - U 4k CE V + 12V V U b BE R IB R BB 2. 图解法 I 非线性部分 线性部分 CE CC C RC U ＝V − I 直流负载线 UCEQ 6V ICQ 1.5mA IB=40μA IC=1.5mA UCEQ=6V 直流 M(VCC,0) 工作点 (12 , 0) (0 , 3) (0, ) C CC R V N Q 用估算法求IB 40 A 0.7 − b BB B R V V I ＝ 3.2 三极管的开关特性及三极管门电路 iC CE (V) (mA) IB =60uA U B=0 IB I =20uA IB =40uA IB =80uA IB =100uA