表4-1 续表 ucs 0V 耗尽型 N MOS 4 V DS D 6V 增强型 P MOS B 耗尽型。G B P MOS DS
第四章 场效应管放大电路 u GS O i D U P I DSS i D O U T u GS u GS O I DSS i D U P u DS O u GS ＝0 V i D －2 V u GS ＝U P ＝－4 V ＋2 V －iD －5 V u GS ＝U T ＝－3 V O －u DS －4 V u GS ＝－6V －i D －2 V u GS ＝U P ＝＋4 V O －uDS ＋2 V u GS ＝0 V G S D + － i D B + － G S D + － i D － + B G S D + i － D B － + 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS 表4-1 续表
43场效应管的主要参数 43.1直流参数 1.饱和漏极电流Dss Ds是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数,它的 定义是当栅源之间的电压Us等于零,而漏、源之间的 电压UDs大于夹断电压Up时对应的漏极电流
第四章 场效应管放大电路 4.3 场效应管的主要参数 4.3.1 直流参数 1. 饱和漏极电流IDSS IDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数, 它的 定义是当栅源之间的电压UGS等于零, 而漏、源之间的 电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流