接触后: 空穴阻挡层 Ev XD 半导体一边的势垒qV=W-Wn
接触后： qVD=Ws-Wm xD EF Ev Ec 半导体一边的势垒qVD = Ws −Wm
交测的测 (2) Wm>Ws 空穴反穴阻挡层 接触前: 接触后:界面 Eo W W E E EE F LEv 体内
（2）Wm>Ws 空穴反穴阻挡层: Ws Wm EFs EFm Ev Ec E0 接触后： xD Ec EF Ev
、表面态对接触势垒的影响 表面:局域在表面附近的新电子态 表面能级:与表面态相应的能级称为表面能级 表面能级
3、表面态对接触势垒的影响 表面态：局域在表面附近的新电子态。 表面能级：与表面态相应的能级称为表面能级。 Wm EFm E0 Ws Ec EF0 Wl EFS0 表面能级 Ev
0 qVD EC EFs EE E 带量E0EF0 与金属的性能无 日半导的功为m1 =x+qp+E W+Er-E W
A、接触前，半导体体内与表面电 子态交换电子后 ◼ 能带弯曲量 qVD=EF0-EFs0 与金属的性能无关 ◼ 半导体的功函数则变为： EFm Wl qVD En l 0 Fs 0 D n s F 1 Ws = +qV +E = W +E −E = W qVD EFs Wm Wl E0 Ev En EF Ec
Ec(0) 实际中,EFs常位于 maEv以上1/3Eg处,所以 m FEEc qm=E()-E.()+E g E qn=qVb+En=E(0)-E、0与金属的性能无关←巴丁模型
B、金属与半导体接触后 = + = ( )− 与金属的性能无关 巴丁模型 0 q m qVD En Ec 0 EFs qm qVD Ec（0） Ec Ev En 实际中，EFs0常位于 Ev以上1/3Eg处，所以 ( ) ( ) m c v g Eg 3 2 E 3 1 q E 0 E 0 = = − +