子导体物理 Semiconductor Physics 编写:刘诺 次豆制作:刘 电子科技大学 电子与固体电子学院 电子科学与工程系
第八篇半导体表面与MS结构 Semiconductor surface and matal-insulator- semiconductor structure 85赵面电场熟应 理想结构: (1)Wr mEws (2)绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电 (3)绝缘层与半导体界面处不存在界 面态
理想MIS结构： （1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界 面态。 §7.1 表 面 电 场 效 应 第八篇 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and matal-insulator- semiconductor structure
金属栅电极 绝缘层 C 半导体 Cs MIS结构等效电路
Co Cs MIS结构 等效电路
VG=时,理想MIS结构的能带图 -M-I E EES LFm V E 金属栅电极 绝缘层 半导体
VG=0时,理想MIS结构的能带图 Ev1 Ec1 Ei Ev Ec EFs EFm
如果ⅴc>0: M工 +VG o d X p型半导体表面感生一个荷负电的空间电荷层
如果VG>0: d x 0 +VG p型半导体表面感生一个荷负电的空间电荷层