§4-5半导体的霍尔效应 P型半导体霍尔效应 1.P型半导体霍耳效应的形成过程
1. P型半导体霍耳效应的形成过程 一、P型半导体霍尔效应 §4-5 半导体的霍尔效应
X BZ B 9+++A
Bz d b V H I l B A z y x ○ + _ fεx fL f ε y
q8 电场力:f=qE 磁场力:f=qVB y方向的电场强度为:c 平衡后:q6-f1=0 a8 fi=g B E.=B
电场力： fε =qεx 磁场力： fL =qVxB z y方向的电场强度为： εy 平衡后： q y − f L = 0 y x z y L x z V B q f qV B = = = fεx fL qε y
x= pgVx pg B x B pg 令 (RHp= pg
pq J V J pqV x x x x = = x z x z y J B pq J B = 令： pq RH P 1 ( ) =
B (RHP B pg (Rn),为P型材料的霍尔系数
H P x z x z y R J B pq J B = = ( ) （RH）P为P型材料的霍尔系数