半导体 SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写:刻诺 独立制作:刘諾 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系
半导体 物理 SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写:刘诺 独立制作 : 刘 诺 ⚫电子科技大学 ⚫微电子与固体电子学院 ⚫微电子科学与工程系
§4.1载流子的漂移运动迁移率∥ -0 款射与漂移运动 加上外电场E的理想我流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大
一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想:载流子 定向运动，即漂移运动。 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率 结论：在严格周期性势场（理想）中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度，其漂移速度应越来越大
实际中, 存在破坏周期性势场的用因素 杂质 缺陷 晶格热振动 散射
存在破坏周期性势场的作用因素： 如： * 杂质 * 缺陷 * 晶格热振动 散射 实际中
2、迁移率 假设讨论的是n型半导体,电子浓度为0 在外电场下通过半导体的电流密度 在弱场下欧姆定律成立 v。→电子的平均漂移速度1=E—() 二式比较则Gn=nE/=n9—→)( 这里迁移率n=(4 E 同理,对半导体P一 这里空穴迁移、E%为空穴漂移速度 迁移率的豪义:表了在单位电场下载游子的平均移荣度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数
( ) ⎯→电子的平均漂移速度 = − ⎯→ d 0 d v J n n qv 1 J E (2) n = n ⎯→ 在弱场下欧姆定律成立 2、迁移率 假设讨论的是n型半导体，电子浓度为n0， 在外电场下通过半导体的电流密度 ( ) (4) v 3 v , d 0 d 0 = ⎯→ = ⎯→ = E n q E n q n n n 这里 迁移率 二式比较 则 同理，对p型半导体 ( ) 这里空穴迁移率 d p为空穴漂移速度 d p 0 , v v 5 E p q p p p = = ⎯→ 迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数
