第二章半导体中的杂质 和缺陷 根据杂质能级在禁带中的位 置,将杂质分为: ·浅能级杂质→能级接近导 带底Ec或价带顶Eⅴ; 深能级杂质→能级远离导 带底Ec或价带顶Eⅴ
第二章 半导体中的杂质 和缺陷 根据杂质能级在禁带中的位 置，将杂质分为： 浅能级杂质→能级接近导 带底 Ec 或价带顶 Ev； 深能级杂质→能级远离导 带底 Ec 或价带顶 Ev。 ● ●
§2-1半导体中的浅能级杂质和 缺陷 杂质存在的方式和缺陷 类型 1存在方式 (1)间隙式→杂质位于组成半导体的元 素或离子的格点之间的间隙位置
§2-1 半导体中的浅能级杂质和 缺陷 一、杂质存在的方式和缺陷 类型 1.存在方式 (1)间隙式→杂质位于组成半导体的元 素或离子的格点之间的间隙位置
2.缺陷的类型 (1)空位和填隙 Si S S Si Si
2.缺陷的类型 (1)空位和填隙 = Si = Si = Si = ‖ ︱ ‖ = Si － 〇 － Si = ‖ ︱ ‖ = Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖
S Si Si S lSi‖ S Si ‖
= Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖ = Si = Si = Si = ‖ S i ‖ ‖ = Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖
(2)替位原子 化合物半导体:A、B两种原子组成 B A B ABA A A B A B
A B A B B A A A A B A B 化合物半导体: A、B 两种原子组成 (2)替位原子 BA