带底电子向金属运动时必须越过的 势垒自高度:qVD=WmWs (1) 金属一边的电子运动到半导体一边也需要 越过的势高度:n=Wn-x-2) 接触后: 界面 C F E 电子阻挡层
导带底电子向金属运动时必须越过的 势垒的高度： qVD=Wm-Ws （1） 金属一边的电子运动到半导体一边也需要 越过的势垒高度： (2) q m = Wm − ⎯→ qm qVD Ec EF Ev
(1)金属-n型半导体接触 (a)Wm>Ws电子阻挡层: 角前 E E E
（a） Wm>Ws 电子阻挡层: Wm Ws EFm EFs Ev Ec E0 （1）金属-n型半导体接触 3、阻挡层与反阻挡层
按触后 界面 q9 Q E F E D 电予阻挡层 边的势垒 半导体一边的势 goh=Wm-x qVD=W-W S
金属一边的势垒 半导体一边的势 垒 q m qVD Ev xD EcEF q m = Wm − qVD = Wm − Ws
着着精差 mavs 电子反阻挡层 接触前 接触后:界面 电子反阻挡层 0 E EFm E Fs E F Ev E 1V=W-W
（b） Wm<Ws 电子反阻挡层: Wm Ws Ev Ec E0 EFm EFs Ec EF Ev D Ws Wm qV = − xD
11) Ws>Wm 空穴阻挡层 接触前: Eo E EEs 穴 量
（1）Ws>Wm 空穴阻挡层: EFm EFs Ws Wm Ev Ec E0 （2）金属-p型半导体接触