重点和难点 第一章半导体中的电子状态 l、Si和GaAs的晶体结构2、Ge、Si和GaAs的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴 第二章半导体中的杂质和缺陷 1、本征激发与本征半导体的特征2、杂质半导体与杂质电离 第三章半导体中载流子的统计分布 、热平衡态时非简并半导体中载流子的浓度分布 2、费米能级E的相对位置。 第四章半导体中的导电性 1、迁移率2、散射一一影响迁移率的本质因素 、电导率 弱电场下电导率的统计理论 第五章非平衡载流子 1、非平衡载流子的产生2、非平衡载流子的复合 3、非平衡载流子的运动规律4、扩散方程 5、爱因斯坦关系6、连续性方程 第六章金属和半导体接触 1、阻挡层与反阻挡层的形成2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性4、少子的注入 第七章半导体表面与MIS结构 1、表面电场效应2、理想与非理想MIS结构的C-V特性
重点和难点 第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴 第二章 半导体中的杂质和缺陷 l、本征激发与本征半导体的特征 2、杂质半导体与杂质电离 第三章 半导体中载流子的统计分布 1、热平衡态时非简并半导体中载流子的浓度分布 2、费米能级 EF的相对位置。 第四章 半导体中的导电性 1、迁移率 2、散射——影响迁移率的本质因素 3、电导率 4、弱电场下电导率的统计理论 第五章 非平衡载流子 1、非平衡载流子的产生 2、非平衡载流子的复合 3、非平衡载流子的运动规律 4、扩散方程 5、爱因斯坦关系 6、连续性方程 第六章 金属和半导体接触 1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性 4、少子的注入 第七章 半导体表面与 MIS 结构 1、表面电场效应 2、理想与非理想 MIS 结构的 C-V 特性
3、Si-SiO2系统的性质4、表面电导
3、Si-SiO2系统的性质 4、表面电导