第2章硅锗的区熔提纯 区熔是1952年蒲凡提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料, 高纯金属的重要方法
第2章 硅锗的区熔提纯 区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法
区熔提纯的目的 ■区熔提纯的目的: 得到半导体级纯度(9到10个9)的硅,为进 步晶体生长作准备
区熔提纯的目的 ◼ 区熔提纯的目的： 得到半导体级纯度（9到10个9）的硅，为进 一步晶体生长作准备
2-1分凝现象与分凝系数 ■2-1—1分凝现象(偏析现象) 含量少的杂质在晶体和熔体中的浓度不同 分凝系数 用来衡量杂质在固相和液相中浓度的不同
2-1分凝现象与分凝系数 ◼ 2－1－1 分凝现象（偏析现象） 含量少的杂质在晶体和熔体中的浓度不同 分凝系数: 用来衡量杂质在固相和液相中浓度的不同
2-1-2平衡分凝系数和有效分凝系数 平衡分凝系数K0 平衡分凝系数(适用于假定固相和液相达 到平衡时的情况) K。=Cs/Cl Cs:杂质在固相晶体中的浓度 Cl:杂质在液相熔体中的浓度
一 平衡分凝系数K0 ➢ 平衡分凝系数（适用于假定固相和液相达 到平衡时的情况） K0=Cs/ Cl 2－1－2平衡分凝系数和有效分凝系数 Cs:杂质在固相晶体中的浓度 Cl:杂质在液相熔体中的浓度
(1)△T=T1-Tm<0(T体系平衡熔点;Tm纯组 分熔点 CS<CL K0<1 提纯时杂质向尾部集中 ■(2)△T=T-Tn>0, Cs>C L 提纯时杂质向头部集中 (3)△T=0, Cs=C L 分布状态不变不能用于去除杂质
◼ (1) △T=TL-Tm ＜0(TL体系平衡熔点；Tm纯组 分熔点), CS＜CL, K0 ＜1 提纯时杂质向尾部集中 ◼ (2)△T=TL-Tm ＞ 0, CS ＞ CL, K0 ＞ 1 提纯时杂质向头部集中 ◼ (3)△T=0, CS=CL, K0 = 1 分布状态不变,不能用于去除杂质