编写8刘 半 独应制作8剑 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微科学与工程系 j2 Semiconductor Physis
半导体物理 编写：刘诺 独立制作：刘诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系
第六篇金属和4导体的接触 1、阻挡层与反阻挡层的形成 ■2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性
第六篇 金属和半导体的接触 ◼1、阻挡层与反阻挡层的形成 ◼2、肖特基势垒的定量特性 ◼3、欧姆接触的特性
犯的 功函数W、Ws与电子亲和势 0 E E E—>真空电子能级 金属功函数Wn=E0Em(1 半导体功函数W=E0-EA)(2) Ev 电子亲和势x=E-E。—)(3)
§6.1 金属-半导体接触和能带图 1、功函数Wm 、Ws与电子亲和势 Ec Ev Wm Ws EFm EFs E0 En (3) 电子亲和势 = E0 − Ec ⎯→ E0 ⎯→真空电子能级 (1) 金属功函数 Wm = E0 − EF m ⎯→ (2) 半导体功函数 Ws = E0 − EF s ⎯→
接触电 EEE 0 E E 假设金属和n型半导体相接触且Wn>W
2、接触电势差 假设金属和n型半导体相接触且 Wm Ws En Ws Wm Ev Ec EFm EFs E0
接触前 接触后 Eo Wm Wsn EEs E ap IgVD Ec EE E 铀势垒WmWs=q(Vms+Vs) c0-qVms 故接触电势差V W-W
接触前： 接触后： qVD EF EF Ev Ec qm xD W Ws m EFm E0 Ec EFs Ev 接触势垒 Wm-Ws=-q（Vms+Vs）≌- qVms q W W V m s ms − 故 接触电势差 = −