工作原理 负载管 A1A0=00 2/4线 0 选中字线Y AT 地 Yo=1 屿 阿 炳 Y=Y2=Y3=0 译码器 Y3 接在Y线上的 NMOS管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1Do=0101
2/4 线地址译码器 Y0 Y2 Y1 Y3 A 1 A 0 D 3 D 2 D 1 D 0+ UCC 1 1 1 1 负载管 A 1 A 0=00 选中字线 Y0 Y0=1 Y1 = Y2 = Y3=0 接在 Y0线上的 NMOS管导通 D2=1、D0=1 D3D2D1D0=0101 工作原理
2一次可编程ROM (PROM) 2/4线 AT 由二极管 构成的 PROM 地址译码器 PROM在出厂时，存储内 容全为1（或全为0），用户可 以根据自己需要，利用通用或 D; D2 D Do 专用的编程器，将某些单元改 写为0（或1）
2 一次可编程ROM（PROM） PROM在出厂时，存储内 容全为1（或全为0），用户可 以根据自己需要，利用通用或 专用的编程器，将某些单元改 写为0（或1）。 由二极管 构成的 PROM 2/4线 地 址 译 码 器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0
熔丝连通为1 熔丝断开为0 2/4线 地址译码器 出厂时熔丝是连通的，全部存储 单元为1，欲使某些单元改写为0，只 要通过编程，给对应单元通以足够大 的电流将熔丝熔断即可。 D D 熔丝熔断后不能再恢复，因此 PROM只能改写一次
2/4线 地 址 译 码 器 D3 D2 D1 D0 Y0 Y2 Y1 Y3 A1 A0 熔丝连通为1 熔丝断开为0 出厂时熔丝是连通的，全部存储 单元为1，欲使某些单元改写为0，只 要通过编程，给对应单元通以足够大 的电流将熔丝熔断即可。 熔丝熔断后不能再恢复，因此 PROM只能改写一次
3光可擦除可编程ROM(EPROM) EPROM的特点是：可以通过紫外线照射或 X射线照射擦除原来内容，再通过通用或专用的 编程器写入新的内容。如果不对其进行照射， 原有内容可以长期保存。 4电可擦除可编程ROM(E2PROM) E2PROM和EPROM都是采用浮删技术生产 的，所不同的是：这里采用电擦除，所以擦除 速度快。E2PROM具有ROM的非易失性，又具 备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦 除1万次以上)
3 光可擦除可编程ROM（EPROM） EPROM的特点是：可以通过紫外线照射或 X射线照射擦除原来内容，再通过通用或专用的 编程器写入新的内容。如果不对其进行照射， 原有内容可以长期保存。 4 电可擦除可编程ROM（E2PROM） E2PROM和EPROM都是采用浮删技术生产 的，所不同的是：这里采用电擦除，所以擦除 速度快。 E2PROM具有ROM的非易失性，又具 备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦 除1万次以上）