横向PNP晶体管 B Q N N P ·2、集成MOS器件 为了在CMOS应用中，能同时将p沟道与n沟道MOSFET 制作在同一片芯片上，需要将两管隔离. 采用一额外的掺杂及扩散步骤在衬底中形成阱并施以反 偏电压可起到隔离作用.阱中的掺杂种类与周围衬底不 同.阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱
横向PNP晶体管 • 2、集成MOS器件 为了在CMOS 应用中,能同时将p 沟道与n沟道MOSFET 制作在同一片芯片上,需要将两管隔离. 采用一额外的掺杂及扩散步骤在衬底中形成阱并施以反 偏电压可起到隔离作用.阱中的掺杂种类与周围衬底不 同. 阱的典型种类有p 阱、n 阱以及双阱
CMOSp阱工艺 CM0S是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来。 由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属（铝）栅与衬 底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件 下，制备低阈值电压（绝对值）的PMOS器件和增强型 NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制 备PMOS器件，采用较高参杂浓度扩散的p阱做NMOS器 件，在当时成为最佳的工艺组合。 in VpD Gnd p-well n-substrate
CMOSp阱工艺 CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年 发展起来。 由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬 底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件 下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型 NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制 备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器 件，在当时成为最佳的工艺组合
n阱CMOS工艺 n阱CMOS工艺采用p型衬底材料制备NMOS器件，采 用离子注入形成的n阱制备PMOS器件，采用沟道离子 注入调整两种沟道器件的阈值电压。 制备在轻掺杂衬底上的NMOS保持了高的电子迁移率， 低的体效应系数，低的+结的寄生电容，降低了漏结 势垒区的电场强度，从而降低了电子碰撞电离所产生 的电流等。这个优点对动态CMOS电路，如时钟CMOS 电路，多米诺电路等的性能改进尤其明显。 Gnd n-well p-substrate
n阱CMOS工艺 n阱CMOS工艺采用p型衬底材料制备NMOS器件，采 用离子注入形成的n阱制备PMOS器件，采用沟道离子 注入调整两种沟道器件的阈值电压。 制备在轻掺杂衬底上的NMOS保持了高的电子迁移率， 低的体效应系数，低的n+结的寄生电容，降低了漏结 势垒区的电场强度，从而降低了电子碰撞电离所产生 的电流等。这个优点对动态CMOS电路，如时钟CMOS 电路，多米诺电路等的性能改进尤其明显
LOCOS 硅局部氧化隔离(Local Oxidation of Silicon) 技术 是CMOS工艺常用的隔离技术工艺，它以氮化硅为 掩膜实现了硅的选择氧化，使得除了形成有源区以 外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化 层，称为场氧化层 。 常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀( SN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟嘴效应 bird beak”)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺 受到很大的限制
• LOCOS: • 硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon）技术 是CMOS工艺常用的隔离技术工艺，它以氮化硅为 掩膜实现了硅的选择氧化，使得除了形成有源区以 外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化 层，称为场氧化层。 • 常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（ SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟嘴效应 bird beak”)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺 受到很大的限制
STI: 浅槽隔离(shallow trench isolation),f 简称STI。 是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种 可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模 完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SO2, 浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充， 氧化硅平坦化。 LOCOS SiN STI FOX FOX Rounding Active STI Bird's Beak Active Active ST
STI: 浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。 是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种 可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模 完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO₂ ， 浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充， 氧化硅平坦化