半导体导带底附近和价带顶附近的 状态密度 1极值点k=0,E(k)为球形等能面 (1)导带底 h E(h-Ec=-+(K +k,+ 2m
( ) 2 ( ) 2 2 2 * 2 z x y n k k k m h E k − Ec = + + 二、半导体导带底附近和价带顶附近的 状态密度 1. 极值点 k0=0，E(k)为球形等能面 (1) 导带底
dz(E)=4( 1 )3/2[E(k)-Ec2dE h 导带底附近单位能量间隔的电子态数 量子态(状态)密度为: 2m =4z/( 3/2 E(k)-Ec dE 2 h
3/ 2 1/ 2 2 * ) ( ) 2 ( ) 4 ( E k Ec h m V dE dZ g E n c = = − E k Ec dE h m dZ E V n 3/ 2 1/ 2 2 * ) ( ) 2 ( ) = 4 ( − 导带底附近单位能量间隔的电子态数— 量子态（状态）密度为：
(2)价带顶 g1(BE)=4z(2)2Ev-E(k)2 h2 E gc(e) 状态密度与能量的关系 E gv(E)
3/ 2 1/ 2 2 * ) ( ) 2 ( ) 4 ( Ev E k h m g E V p V = − 状态密度与能量的关系 (2)价带顶 E Ec 1 Ev 2 gc(E) gv(E)