第二节集成运放的性能参数 及其对应用电路的影响
第二节 集成运放的性能参数 ———及其对应用电路的影响
一、集成运放性能参数： od 1、差模特性 差模特性：是指集成运放在。 差模输入信号作用下，所呈 现的特性，相应的集成运放V 的电路模型如图所示。 根据电路模型可知Va=y一V Ad= 。= Vo Vid V.-v A(dB)=201g A 其值在80140dB(104~107倍) 差模输入电阻R,指集成运放两输入端之间呈现的视 在电阻，MΩ数量级
一、集成运放性能参数： 1、差模特性 差模特性：是指集成运放在 差模输入信号作用下，所呈 现的特性，相应的集成运放 的电路模型如图所示。 + v vd id A v − v id v Rid Rod o v = + − − v v v 根据电路模型可知 id + − − = = v v v v v A o i d o vd Avd dB Avd ( ) = 20lg 其值在80~140dB(104~107倍) 差模输入电阻Rid，指集成运放两输入端之间呈现的视 在电阻，MΩ数量级
MOS集成运放Rd,一般为106M2。 Rd为输出电阻，一般在2002一下。 一般情况下，上述各参数均为频率的复函数，分别表示为： Adjo)、Zid(jo)、Zod(jo)。 最大的差模输入电压范围VDM:是指输入差分对管发 射结不产生反向击穿所能承受的最大输入电压。 2、共模特性 共模特性：是指集成运放在共模输入信号作用下呈现的特性， 属于这一类特性的参数主要为，共模抑制比KcR,共模输 入电阻R。和最大的共模输入电压范围VCM。计入共模参数 后的电路模型，如图所示：
MOS集成运放Rid ，一般为106 MΩ 。 Rod 为输出电阻，一般在200Ω一下。 一般情况下，上述各参数均为频率的复函数，分别表示为： Avd(jω) 、Zid(jω) 、Zod(jω) 。 最大的差模输入电压范围 VIDM ：是指输入差分对管发 射结不产生反向击穿所能承受的最大输入电压。 2、共模特性 共模特性：是指集成运放在共模输入信号作用下呈现的特性， 属于这一类特性的参数主要为，共模抑制比 KCMR ，共模输 入电阻 Ric 和最大的共模输入电压范围 VICM 。计入共模参数 后的电路模型，如图所示：
R. KCMR 根据定义有： Vid =v-v 2 所以Voe=AeVe=dd Kc Vic
+ v vd id A v − v id v Rid Ro o v CMR ic vd K v A Ric Ric 根据定义有： = + − − v v v id 2 + − + = v v vic vc vd CMR A A K = 所以 CMR i c o c vc i c vd K v v = A v = A
Voc Avevie Avd Vic KCMR 可将上是折算到输入端，根据第183页(4-423式)已知： △vid Vic KCMR 作为输入误差电压，则电路模型可等效为： Vic od 〉Ay
CMR i c o c vc i c vd K v v = A v = A 可将上是折算到输入端，根据第183页（4-423式）已知： CMR i c i d K v v = 作为输入误差电压，则电路模型可等效为： + v vd id A v − v id v Rid Rod o v CMR ic K v Ric Ric