§8-2-1二极管的伏安特性曲线 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 二极管的伏安特性曲线 正/正正 正极(P)负极(N) 向/向向 截导过 止/通载 反反 向向反向 二极管的电路符号 过击截止 载穿 二极管伏安特性曲线 VD:二极管正向导通的阈值电压,简称导通电压。 击穿电压。(反向电压超过V时,反向击穿。) :反向饱和电流。(反向电压较大时,反向电流近似为-。) 硅二极管:V约为07伏,一般小于0.微安 错二极算:VDo约为02伏,一般为几十微安
§8-2-1 二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线 V I 正极(P) 负极(N) 二极管的电路符号 VD0： 二极管正向导通的阈值电压，简称导通电压。 VB： 击穿电压。（反向电压超过 -VB时，反向击穿。） 二极管伏安特性曲线 反 向 击 穿 正 向 截 止 正 向 导 通 反向 截止 V I O 正 向 过 载 反 向 过 载 -VB VD0 -Is Is： 反向饱和电流。（反向电压较大时，反向电流近似为 -Is 。） 硅二极管： VD0 约为 0.7伏， Is一般小于0.1微安 锗二极管： VD0约为 0.2伏， Is一般为几十微安
§8-2-1二极管的伏安特性曲线 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 二极管的伏安特性曲线 V=rty 正向截止 正 向向 r'D:电极的接触电阻~常略去。 导过 v:PN结的结电压。 通载 反反 I=l(e-1)V>-时 向向反向 过击截止 m=≈26m(常温0K下) 载穿 二极管伏安特性曲线 I+l dv, dv 微变电阻R==b+=m=+ d 1+
§8-2-1 二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线 D VJ V r I ' I IseVJ VTD 1, V VB时 26mV 常温300K下 e kT VTD r'D： 电极的接触电阻～常略去。 VJ： PN结的结电压。 二极管伏安特性曲线 反 向 击 穿 正 向 截 止 正 向 导 通 反向 截止 V I O 正 向 过 载 反 向 过 载 -VB VD0 -Is s s TDJ I I I VV ln ' ' J TD DD D s dV dV V Rr r dI dI I I 微变电阻
§8-2-1二极管的伏安特性曲线 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 二极管的伏安特性曲线 正/正正 微变电阻= 向/向向 1+l 截 导 过 止/通载 反向电压较大时,I≈-,RD≈∞ 反反 正向电流较大时,RD≈rD 向向反向 过击截止 载穿 理想二极管 二极管伏安特性曲线 反向:I=0,RD=∞。 正向:RD=0
§8-2-1 二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线 二极管伏安特性曲线 反 向 击 穿 正 向 截 止 正 向 导 通 反向 截止 V I O 正 向 过 载 反 向 过 载 -VB VD0 -Is s TD D J D D I I V r dI dV R r ' ' 反向电压较大时， I -Is , RD 。 正向电流较大时， RD r'D。 微变电阻 反向： Is = 0， RD = 。 正向： RD =0。 理想二极管
§8-2-2二极管(非线性元件)的分析方法 日①方程法 R ()=E()-R(0) ( E(t) ) 二 TD 一般不容易求出解析解借助工具数值求解 扫引申方法:级数展开法 1=10)=(+
§8-2-2 二极管(非线性元件)的分析方法 方程法 V t E t RI t E(t) R D I(t) V(t) ln s TD s Vt It I V I 一般不容易求出解析解——借助工具数值求解。 引申方法：级数展开法 n Q Q n n Q f V V V n I f V f V 1 ! 1 V I O VQ Q