第八章:二极管电路 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 §8-1半导体基础知识(了解) §8-2二极管的特性 §8-3二极管开关与整流电路 §8-4稳压管与稳压电路 第八章及以后的参考书: 《电路分析》王楚,余道衡编著 北京大学出版社
第八章：二极管电路 §8-1 半导体基础知识(了解) §8-2 二极管的特性 §8-3 二极管开关与整流电路 §8-4 稳压管与稳压电路 第八章及以后的参考书： 《 电路分析》 王楚，余道衡 编著 北京大学出版社
§8-1-1半导体材料 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 导体、半导体、绝缘体 导体:容易传导电流(电导率高)。 绝缘体:几乎不易传导电流(电导率很低)。 半导体:导电性介于导体和绝缘体之间。 常见的半导体材料: 硅Si锗Ge砷化镓GaAs等 半导体材料的特性 光敏、热敏、掺杂
§8-1-1 半导体材料 导体、半导体、绝缘体 常见的半导体材料： 导 体：容易传导电流（电导率高）。 绝缘体：几乎不易传导电流（电导率很低）。 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间。 硅Si 锗Ge 砷化镓GaAs 等 半导体材料的特性 光敏、热敏、掺杂
由§8-1-1半导体材料 扫本征半导体 扫扫扫扫 高纯度的、结构完整的半导体单晶体。 自由 价电子 共价键 空穴 电子 扫扫扫扫扫扫扫扫扫择扫扫扫扫扫扫扫扫 +4 +4、··+4 4 +4 +4 +4 +4 4 °+4··+4· 4 硅晶体结构的共价键 本征半导体晶体结构中的 电子空穴对
§8-1-1 半导体材料 本征半导体 ——高纯度的、结构完整的半导体单晶体。 价电子 共价键 自由 空穴 电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅晶体结构的共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体晶体结构中的 电子——空穴对
§8-1-1半导体材料 本征半导体 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 本征激发—在热或者光的激励下,一些价电子获得足够能量而成为 自由电子,相应的原子因缺少电子而成为带正电粒子即 空穴),这个过程叫做本征激发。 复合—自由电子再次进入空穴,体现为电子一空穴对消失 两种载流子:自由电子、空穴 两种导电性:自由电子和空穴在外电场作用下的定向移动。 本征半导体的结论: ①电子和空穴成对出现。 ②由自由电子和空穴两种载流子参与导电。 ③常温下本征半导体内载流子数目较少,导电能力弱。 ④半导体的导电能力与温度有关
§8-1-1 半导体材料 本征半导体 本征激发 —— 复 合 —— 自由电子再次进入空穴，体现为电子－空穴对消失。 在热或者光的激励下，一些价电子获得足够能量而成为 自由电子，相应的原子因缺少电子而成为带正电粒子(即 空穴)，这个过程叫做本征激发。 两种载流子： 自由电子、空穴 两种导电性： 自由电子和空穴在外电场作用下的定向移动。 本征半导体的结论： 电子和空穴成对出现。 由自由电子和空穴两种载流子参与导电。 常温下本征半导体内载流子数目较少，导电能力弱。 半导体的导电能力与温度有关
由§8-1-1半导体材料 日掺杂质的半导体 N型半导体 ●+4、··+4 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 +4··+5··+4 →本征半导体中掺入少量5价元素(磷、砷、锑等)。 →多余的电子跃迁为自由电子,此跃迁不产生空穴。 →自由电子是多数载流子(多子)。 空穴是少数载流子(少子) →5价的杂质原子叫做施主原子
§8-1-1 半导体材料 掺杂质的半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +5 N型半导体 本征半导体中掺入少量5价元素（磷、砷、锑等）。 多余的电子跃迁为自由电子，此跃迁不产生空穴。 自由电子是多数载流子（多子）。 空穴是少数载流子（少子）。 5价的杂质原子叫做施主原子