K顾芯科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM A W 与阵列 W F A 或阵列 (不可 F 编程) W (可编程) : p-1 m-1 p=2” 图2-10PR0M的逻辑阵列结构
KX 康芯科技 2.2.2 PROM 与阵列 （不可 编程） 或阵列 （可编程） . . . A0 A1 An−1 W0 W1 Wp−1 F0 F1 Fm−1 n p = 2 图2-10 PROM的逻辑阵列结构 2.2 低密度PLD可编程原理
K康芯科骏 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM 或阵列 (可编程) S=A田A C=A·A AA A0 40 与阵列（固定） Fo 图2-11PROM表达的PLD阵列图
KX 康芯科技 2.2.2 PROM 图2-11 PROM表达的PLD阵列图 与阵列（固定） 或阵列 （可编程） A1 A0 A1 A1 A0 A0 F1 F0 0 1 0 1 C A A S A A = • = 2.2 低密度PLD可编程原理
K康还科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM A 或阵列 (可编程) FO=4041+4041 F1=4140 AA 4o 40 与阵列（固定） F 图2-12用PR0M完成半加器逻辑阵列
KX 康芯科技 2.2.2 PROM 图2-12 用PROM完成半加器逻辑阵列 1 1 0 0 0 1 0 1 F A A F A A A A = = + 与阵列（固定） 或阵列 （可编程） A1 A0 A1 A1 A0 A0 F1 F0 2.2 低密度PLD可编程原理
K康芯科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.3PLA A A 或阵列 (可编程) AA 4o 40 与阵列（可编程） 图2-13PLA逻辑阵列示意图
KX 康芯科技 2.2.3 PLA 图2-13 PLA逻辑阵列示意图 与阵列（可编程） 或阵列 （可编程） A1 A0 A1 A1 A0 A0 F1 F0 2.2 低密度PLD可编程原理
K还科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.3PLA F。 F 图2-14PLA与PR0M的比较
KX 康芯科技 2.2.3 PLA 图2-14 PLA与 PROM的比较 A1 A0 F1 F0 A2 F2 A1 A0 F1 F0 A2 F2 2.2 低密度PLD可编程原理