K能在科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.1电路符号表示 非门 与门 或门 异或门 常用符号 A0-A -F 国标符号 =1 逻辑表达式 A=NOT A F=AB F=A+B F=A⊕B 图2-3常用逻辑门符号与现有国标符号的对照
KX 康芯科技 2.2 低密度PLD可编程原理 2.2.1 电路符号表示 图2-3 常用逻辑门符号与现有国标符号的对照
K 康芯科技 2.2.1电路符号表示 F-ABD ABC D 图2-4PLD的互补缓冲器 图2-5PLD的互补输入图2-6PLD中与阵列表示 末连接 固定连接 可编程连接 图2-7PLD中或阵列的表示 图2-8阵列线连接表示
KX 康芯科技 2.2.1 电路符号表示 图2-4 PLD的互补缓冲器 图2-5 PLD的互补输入 图2-6 PLD中与阵列表示 图2-7 PLD中或阵列的表示 图2-8 阵列线连接表示
K能恋科液 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM A W A 地址 W 存储单元 F 译码器 W,: 阵列 A m-l P=2 图2-9PROM基本结构
KX 康芯科技 2.2.2 PROM 图2-9 PROM基本结构 地址 译码器 存储单元 阵列 . . . A0 A1 An−1 W0 W1 Wp−1 F0 F1 Fm−1 n p = 2 2.2 低密度PLD可编程原理
K康还科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM PROM中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择， 其逻辑函数是： W。=An-1.A1A0 W=An-1.AAo W2-1=A-1.AA0
KX 康芯科技 2.2.2 PROM 2 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 . W A A A W A A A W A A A n n n n = = = − − − − PROM中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择， 其逻辑函数是： 2.2 低密度PLD可编程原理
K能在科技 2.2低密度PLD可编程原理 2.2.2 PROM Fo =Mp-1.oWp1++M1.oW+Mo.oWo F=Mp-,Wp1+.+MW+MoW% Fm-1=Mp-m-Wp+MmW+Mo.m-Wo 其中p=2”,而Mp-m-1是存储单元阵列第m-1列p-1行单元的值
KX 康芯科技 2.2.2 PROM 其中 p = 2 n ， 而M p−1,m−1 是存储单元阵列第m −1列p −1行单元的值 2.2 低密度PLD可编程原理 1 1, 1 1 1, 1 1 0, 1 0 1 1,1 1 1,1 1 0,1 0 0 1,0 1 1,0 1 0,0 0 F M W M W M W F M W M W M W F M W M W M W m p m p m m p p p p − − − − − − − − − − = + + + = + + + = + + + . . . . .