产单元 圭要工艺产污原料产生度气产生废水、废液 将特定量的杂质源(磷、硼、砷等)通过薄膜开口掺入到硅晶体或其他半导体晶体表层的工艺,以改变半导体的电学特性 在高温下(通常800-10°℃C),杂质源(磷烷、砷烷、 三氯化硼等)在载气的携带下进入硅片刻蚀露出的窗口 掺杂 热扩散|内,与窗口处的硅表面反应释放出杂质原子,并由表面 气态源的有磷烷、乙硼 的高浓度区向内部的低浓度区扩散,最终浓度分布趋于 杂质源 液态源的有硼烷、 工艺尾气, 三氯氧磷:固态源有单(PoU)处理后 入酸性废气 离子注|杂源在另一端被离子化后,集成束在电场中加速 入穿过硅品圆片表面或其他薄膜中,是一个物理反应过程 是去除多余的薄膜,保持品片表面平整平坦 平坦化化学机 磨料(SiO2、CeO;等) 械研磨通过化学腐蚀和机械力对硅片进行平坦化处理 抛光液 反应剂(如H2O2、KOH 研磨废水
8 生产单元 主要工艺 产污原辅料 产生废气 产生废水、废液 掺杂 将特定量的杂质源（磷、硼、砷等）通过薄膜开口掺入到硅晶体或其他半导体晶体表层的工艺，以改变半导体的电学特性 热扩散 在高温下（通常 800-1100oC），杂质源（磷烷、砷烷、 三氯化硼等）在载气的携带下进入硅片刻蚀露出的窗口 内，与窗口处的硅表面反应释放出杂质原子，并由表面 的高浓度区向内部的低浓度区扩散，最终浓度分布趋于 均匀，属于化学反应过程 杂质源 气态源的有磷烷、乙硼 烷；液态源的有硼烷、 三氯氧磷；固态源有单 磷酸铵、砷酸铝 工艺尾气， （POU）处理后， 排入酸性废气 / 离子注 入 在接近室温的条件下进行，将硅片放在离子注入机一端， 掺杂源在另一端被离子化后，聚集成束，在电场中加速 穿过硅晶圆片表面或其他薄膜中，是一个物理反应过程 平坦化 是去除多余的薄膜，保持晶片表面平整平坦 化学机 械研磨 通过化学腐蚀和机械力对硅片进行平坦化处理 抛光液 磨料（SiO2、Ce2O3 等）、 反应剂（如 H2O2、KOH 等） / 研磨废水
表2-2显示器件( AMOLED)制造产污环节分析列表 类别 产生工序 来源 主要污染物 柔性层涂覆及固化、光亥 阵列工艺 光刻胶剥离、平面层及固 MP(N甲基吡咯烷酮)丙二醇 化、其灰化等工序 单甲醚乙酸酯( PGMEA)丙二醇 有机废气 OLED工艺 单甲醚(PGME)羟乙基哌嗪(HE 掩模板清洗 醇丁醚(BDG,MMF(吗替麦 模组工艺 电极边清洁 考酚酯)异丙醇、酒精 阵列工艺 稀氢氟酸清洗、激光退火、BOE清氤氧化物、氟化物、磷酸、乙酸 酸性废气 先、IOAg/TO刻蚀工序 OLED工艺 激光剥离工序 氯化氢 废气 污染碱性废气 阵列工艺 光刻显影 氨气 阵列工艺 化学气相沉积、干法刻蚀氯气、氯化氢、氟化物、氮氧化物 工艺尾气 OLED工艺 化学气相沉积 氨气、硅烷、磷烷 阵列、OLED工艺 PECVD炉腔清洗 氟化物、氮氧化物 锅炉烟气 锅炉燃气 颗粒物、SO2、NOx 阵列工艺、OLED工艺 般排气 厂房排气 模组工艺 一般排气 少量酒精、异丙醇 有机废水阵列工艺、OLED工艺 清洗过程、掩膜光刻、光刻 胶剥离、掩膜版清洗 pH、COD、BODs、NH-N、SS 含磷银废水 阵列工艺 IOAg/TO刻蚀清洗 H、COD、BOD3、SS、Ag、磷酸 酸碱废水阵列工艺、OLED工艺 ITO刻蚀 含氟废水 阵列工艺 稀氢氟酸清洗、BOE清洗|pH、氟化物、COD、BOD5、S POU 废水L洗涤塔排水阵列工艺、OLED工艺 工艺尾气处理系统排水pH、氟化物、COD、NH3N、Cr 污染酸碱废气洗涤阵列工艺、OLED工艺 H、COD、BOD5、NH3N、SS 源|塔排水 酸碱废气处理系统排水 纯水制备再生 酸碱及反冲洗 纯水制备 离子交换再生酸碱废水反 H、Ss 冲洗废水 RO浓水 纯水制备 渗透RO浓水 清洗水回收系 统排水 工艺清洗水回收系统 需定期进行反冲洗 冷却塔排水 循环冷却水系统 冷却塔 盐类
9 表 2-2 显示器件（AMOLED）制造产污环节分析列表 类别 产生工序 来源 主要污染物 废气 污染 源 有机废气 阵列工艺 柔性层涂覆及固化、光刻、 光刻胶剥离、平面层及固 化、其灰化等工序 NMP（N-甲基吡咯烷酮）、丙二醇、 单甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇 单甲醚（PGME）、羟乙基哌嗪（HEP）、 乙二醇丁醚(BDG)、MMF（吗替麦 考酚酯）、异丙醇、酒精 OLED 工艺 掩模板清洗 模组工艺 电极边清洁 酸性废气 阵列工艺 稀氢氟酸清洗、激光退火、BOE 清 洗、ITO/Ag/ITO 刻蚀工序 氮氧化物、氟化物、磷酸、乙酸、 氯化氢 OLED 工艺 激光剥离工序 氯化氢 碱性废气 阵列工艺 光刻显影 氨气 工艺尾气 阵列工艺 化学气相沉积、干法刻蚀 氯气、氯化氢、氟化物、氮氧化物、 氨气、硅烷、磷烷 OLED 工艺 化学气相沉积 阵列、OLED 工艺 PECVD 炉腔清洗 氟化物、氮氧化物 锅炉烟气 锅炉 锅炉燃气 颗粒物、SO2、NOx 厂房排气 阵列工艺、OLED 工艺 一般排气 无 模组工艺 一般排气 少量酒精、异丙醇 废水 污染 源 有机废水 阵列工艺、OLED 工艺 清洗过程、掩膜光刻、光刻 胶剥离、掩膜版清洗 pH、COD、BOD5、NH3 -N、SS 含磷银废水 阵列工艺 ITO/Ag/ITO 刻蚀清洗 pH、COD、BOD5、SS、Ag、磷酸 盐、Ag 酸碱废水 阵列工艺、OLED 工艺 ITO 刻蚀 pH、SS 含氟废水 阵列工艺 稀氢氟酸清洗、BOE 清洗 pH、氟化物、COD、BOD5、SS POU 洗涤塔排水 阵列工艺、OLED 工艺 工艺尾气处理系统排水 pH、氟化物、COD、NH3-N、Cl- 酸碱废气洗涤 塔排水 阵列工艺、OLED 工艺 酸碱废气处理系统排水 pH、COD、BOD5、NH3-N、SS、 F - 纯水制备再生 酸碱及反冲洗 废水 纯水制备 离子交换再生酸碱废水、反 冲洗废水 pH、SS RO 浓水 纯水制备 反渗透 RO 浓水 － 清洗水回收系 统排水 工艺清洗水回收系统 需定期进行反冲洗 pH、SS 冷却塔排水 循环冷却水系统 冷却塔 盐类、SS
表2-3电阻电容电感元件、敏感元件及传感器以及电声器件制造产污环节分析列表 主要生产单元 主要工艺 工艺描述 主要污染物 原料系统 料、修边、机砂树原材料进行剪切、矫直、修正等 顽粒物 焊接 点焊/焊接 寸引脚、引线进行焊接固定 锡及锡化合物 铅及铅化合物、颗粒物 涂覆 表面涂覆 在基片表面盖上一层材料,如用浸渍、喷 徐或旋涂等方法在基片表面覆盖一层膜苯系物、挥发性有机物 印刷 按一定比例调制成的浆料涂覆在陶硅基 体上,主要用于玻璃釉电阻制 苯系物、挥发性有机物 烘干烧结 烘干烧结 苯系物、挥发性有机物 清洗 清洗 通过有机溶剂的溶解作用去除材料表面的 有机杂质 CODa、LAS 碳酸钠将未曝光的蚀刻掩模去除,暴露 光刻 蔷蚀刻的铜表面 刻蚀 用碱性或酸性蚀刻剂(氨铜或氯化铜) 暴露的铜表面去除 用于去除元件损伤层,改善元件表面微粗 研磨 程度 挥发性有机物 点胶 使零部件粘结固定 系物、挥发性有机物 注塑 热塑性塑料或热固性料制成各种形状 挥发性有机物 b)电子电路 电子电路是指在绝缘基材上,按预定设计形成印制元件、印制线路或两者结合的导电图形的印制 电路或印制线路成品板。包括刚性板与挠性板,单面印制电路板、双面印制电路板、多层印制电路板, 以及刚挠结合印制电路板和高密度互连印制电路板等。其生产工艺如图2-2所示。其主要产污环节如 表2-4所 废气:BCl、BS04 废气:HCl、HS0 废气:BCl 化学清洗 制作肉 层氧化 多层压合 减薄蚀刻 废水:pH、铜 废气:政2S04 废气:HCl 废气:HC 晚作[做[孔牌[属化[卜化 废水:pH、钢 cD、氟化物 废水:p、铜废水:p、铜 废气:oc、 氮氧化物度气:粉尘 废气:VoC、HCl 防焊心表面处理 外型形成 有机涂覆 终检 废水:pH、度气:pH、COD、铜 废水:铜、pH c0D、铜 镍、Ag、氟化物、总氮
10 表 2-3 电阻电容电感元件、敏感元件及传感器以及电声器件制造产污环节分析列表 主要生产单元 主要工艺 工艺描述 主要污染物 原料系统 开料、修边、机砂 对原材料进行剪切、矫直、修正等 颗粒物 焊接 点焊/焊接 对引脚、引线进行焊接固定 锡及锡化合物、 铅及铅化合物、颗粒物 涂覆 表面涂覆 在基片表面盖上一层材料，如用浸渍、喷 涂或旋涂等方法在基片表面覆盖一层膜 苯系物、挥发性有机物 印刷 印刷 将按一定比例调制成的浆料涂覆在陶硅基 体上，主要用于玻璃釉电阻制造 苯系物、挥发性有机物 烘干/烧结 烘干/烧结 / 苯系物、挥发性有机物 清洗 清洗 通过有机溶剂的溶解作用去除材料表面的 有机杂质 CODcr、LAS 光刻 显影 用碳酸钠将未曝光的蚀刻掩模去除，暴露 需蚀刻的铜表面 氨 刻蚀 用碱性或酸性蚀刻剂（氨铜或氯化铜）将 暴露的铜表面去除 研磨 研磨 用于去除元件损伤层，改善元件表面微粗 糙程度 挥发性有机物 点胶 点胶 使零部件粘结固定 苯系物、挥发性有机物 成型 注塑 将热塑性塑料或热固性料制成各种形状 挥发性有机物 b)电子电路 电子电路是指在绝缘基材上，按预定设计形成印制元件、印制线路或两者结合的导电图形的印制 电路或印制线路成品板。包括刚性板与挠性板，单面印制电路板、双面印制电路板、多层印制电路板， 以及刚挠结合印制电路板和高密度互连印制电路板等。其生产工艺如图 2-2 所示。其主要产污环节如 表 2-4 所示。 线路制作 镀铜 孔清洗 去黑化 钻孔 黑化 基板 化学清洗 线路制作 内层氧化 多层压合 减薄蚀刻 防焊 表面处理 外型形成 电测 有机涂覆 终检 废水：pH、铜 废气：HCl、H2SO4 废气：HCl 废水：pH、铜 废气：HCl、H2SO4 废气：HCl 废水：pH、铜 废气：HCl 废水：pH、铜、 COD、氟化物 废气：H2SO4 废水：铜、p H、 COD 废气：粉尘 废气：VOC、HCl 废气：H2SO4、 HCl、氮氧化物 废水：pH、 COD、铜 废气：VOC、 苯系物 废水：pH、铜 废气：粉尘 废水： pH、铜 废气：pH、COD、铜、 镍、Ag、氟化物、总氮
废气:3、hcl 掩膜制作]曝光}「显影 蚀刻 剥膜 自动光检 废水:pH、c0 废水:p、CD废水:pH、铜废水:pH、C0D 线路制作流程 图2-2电子电路制造典型生产工艺流程和产污环节 表2-4电子电路制造产污环节分析列表 工艺环节 废水主要污染物 废气主要污染物 化学清洗用酸和微蚀剂清洗去除铜箔表面的氧化层 pH,铜 HCl, H2SOA 内层氧化|用强氧化剂将铜治表面氧化(租化,增加后续层1 H,铜 HCl, H2SO4 减薄蚀刻用酸性蚀刻液减少铜箔厚度 pH,铜 用强氧化剂在铜箔表面产生一层黑色氧化铜,有 黑化利于后续激光钻孔工序(黑色表面能吸收更多激 pH,铜,磷 光能量)。 钻孔 包括机械钻孔和激光钻孔 粉尘 去黑化|激光钻孔后去除表面黑色氧化层 pH,铜 HCI 包括孔壁镀铜,板面镀铜和填孔镀铜等,由化学 镀铜镀预处理将树脂表面沉积一层金属铜,然后用电p 氟化物, H2SO4 镀工艺加厚 CODCr 掩模制作用溴化银感光底片制作曝光掩模 pH,CODc,银 显影 用碳酸钠将未曝光的蚀刻掩模去除,暴露需蚀刻 的铜表面 pH, CODcr 蚀刻 用碱性或酸性蚀刻剂(氨铜或氯化铜)将暴露的 H,铜,氨 HCl 剥膜将覆盖铜表面的蚀刻掩模去除 H, COdcr 无 防焊用油墨将无需导电的区域保护起来 pH,铜, CODCr VOCs 废水:pH,CODc 表面处理将外表面处理成需要的金属表面,如金、银等铜,镍,银,磷,氰 H2SO4,HCl,氮氧 化物,氨氮,总氮 化物 外型形成通过切割将产品成型 粉尘 有机涂概将裸的辆表面涂上特殊有机保护层,防止表面|p CODCr HCl, VOCs 243电子专用材料 电子专用材料是指具有特定要求且只用于电子产品的材料。根据其作用与用途,可分为电子功能 材料、互联与封装材料、工艺与辅助材料。本标准对专用于电子工业领域的电子材料的产污环节进行 归纳分析,如表25所示
11 掩膜制作 曝光 显影 蚀刻 剥膜 自动光检 线路制作流程 废气：NH3、HCl 废水：pH、COD 废水：pH、铜 废水：pH、CO D、Ag 废水：pH、COD 图 2-2 电子电路制造典型生产工艺流程和产污环节 表 2-4 电子电路制造产污环节分析列表 工艺环节 描述 废水主要污染物 废气主要污染物 化学清洗 用酸和微蚀剂清洗去除铜箔表面的氧化层 pH，铜 HCl，H2SO4 内层氧化 用强氧化剂将铜箔表面氧化（粗化），增加后续层 压工序的结合力。 pH，铜 HCl，H2SO4 减薄蚀刻 用酸性蚀刻液减少铜箔厚度 pH，铜 HCl 黑化 用强氧化剂在铜箔表面产生一层黑色氧化铜，有 利于后续激光钻孔工序（黑色表面能吸收更多激 光能量）。 pH，铜，磷 HCl 钻孔 包括机械钻孔和激光钻孔 无 粉尘 去黑化 激光钻孔后去除表面黑色氧化层 pH，铜 HCl 镀铜 包括孔壁镀铜，板面镀铜和填孔镀铜等，由化学 镀预处理将树脂表面沉积一层金属铜，然后用电 镀工艺加厚。 pH，铜，氟化物， CODCr H2SO4 掩模制作 用溴化银感光底片制作曝光掩模 pH，CODCr，银 无 显影 用碳酸钠将未曝光的蚀刻掩模去除，暴露需蚀刻 的铜表面 pH，CODCr 无 蚀刻 用碱性或酸性蚀刻剂（氨铜或氯化铜）将暴露的 铜表面去除 pH，铜，氨 HCl 剥膜 将覆盖铜表面的蚀刻掩模去除 pH，CODCr 无 防焊 用油墨将无需导电的区域保护起来 pH，铜，CODCr VOCs 表面处理 将外表面处理成需要的金属表面，如金、银等 废水：pH，CODCr， 铜，镍，银，磷，氰 化物，氨氮，总氮 H2SO4，HCl，氮氧 化物 外型形成 通过切割将产品成型 无 粉尘 有机涂覆 将裸露的铜表面涂上特殊有机保护层，防止表面 氧化 pH，铜，CODCr HCl，VOCs 2.4.3电子专用材料 电子专用材料是指具有特定要求且只用于电子产品的材料。根据其作用与用途，可分为电子功能 材料、互联与封装材料、工艺与辅助材料。本标准对专用于电子工业领域的电子材料的产污环节进行 归纳分析，如表 2-5 所示
表2-5电子专用材料制造产污环节分析列表 生产单元 生产设施 废气产污节点名称 污染物种类 刻蚀 刻蚀机 刻蚀 电蚀 腐蚀机 铝箔腐蚀 氟化物、氯化氢、氮氧化物、硫 酸雾 电子功能材料 抛光 抛光机 抛光 酸洗 氟化物、氯化氢 清洗 清洗机 碱洗 合成与配 置 反应釜 树脂合成与胶液配置挥发性有机物 上胶与烘|上胶机、烘干 上胶与烘干 苯系物、挥发性有机物 封装和装联材料 溶铜 溶铜釜 溶铜 硫酸雾 清洗 清洗机 清洗 硫酸雾、氯化氢、氮氧化物 去离子 去离子机 去离子 氮氧化物 配料 投料、混合 顽粒物 熔化坩埚 熔化 熔化 顽粒物 氮氧化物、二氧化硫 工艺与辅助材料 气流粉碎机 颗粒物 研磨 磨砂机、三辊 研磨 挥发性有机物 研磨机 244计算机制造及其他电子设备制造 计算机及其他电子设备制造属于电子工业行业下游终端产业。其生产工艺以组装为主,较为简单 共有流程及产污节点分析如表2-6所示 表2-6计算机及其他电子设备制造产污环节分析列表 生产单元 典型工艺流程 产污节点 污染物 SMI生产线PCB、焊膏、红胶→印刷→器件贴片→回流焊→检验 回流焊炉 TIT生产线器件成型→插裝→波峰焊→超声波清洗→检测 波峰焊炉 锡和锡化合物 PCBA混装PCB→SMT→TH→检修→在线测试→功能测试→老 手工焊 铅和铅化合物 主产线化→机架装配 电路板三防喷 ℃BA→酒精清洗→预烘→保护→驱潮→喷涂清漆→固|超声波清洗机|Vos(乙醇、异 化→检验 涂覆机、固化炉丙醇、丙酮等) 机和壳喻保护隔离→喷底漆一烘干一打磨一烘干喷面漆一烘接,脱、|CC甲苯 生产线|千→成品 酮类、醇类等) 机箱喷塑生装挂上线→静电喷粉→高温固化→冷却→下线→成品|喷粉室、固化室 含热废气 注塑生产线注塑 注塑机 VOCs(二甲苯 甲苯等) 机械租化→化学除油→水洗→化学粗化→水洗→敏化「化学除油、水洗、甲醛、甲醇、氯化 化学镀生产线→水洗→活化→水洗→解胶→水洗→化学镀→水洗→敏化、活化、解氢、铬酸雾、硫酸 干燥→镀层后处理
12 表 2-5 电子专用材料制造产污环节分析列表 生产单元 生产设施 废气产污节点名称 污染物种类 电子功能材料 刻蚀 刻蚀机 刻蚀 氟化物、氯化氢、氮氧化物、硫 酸雾 电蚀 腐蚀机 铝箔腐蚀 抛光 抛光机 抛光 清洗 清洗机 酸洗 氟化物、氯化氢 碱洗 氨 封装和装联材料 合成与配 置 反应釜 树脂合成与胶液配置 挥发性有机物 上胶与烘 干 上胶机、烘干 机 上胶与烘干 苯系物、挥发性有机物 溶铜 溶铜釜 溶铜 硫酸雾 清洗 清洗机 清洗 硫酸雾、氯化氢、氮氧化物 去离子 去离子机 去离子 氮氧化物 工艺与辅助材料 配料 熔化坩埚 投料、混合 颗粒物 熔化 熔化 颗粒物、氮氧化物、二氧化硫 粉碎 气流粉碎机 粉碎 颗粒物 研磨 磨砂机、三辊 研磨机 研磨 挥发性有机物 2.4.4计算机制造及其他电子设备制造 计算机及其他电子设备制造属于电子工业行业下游终端产业。其生产工艺以组装为主，较为简单， 共有流程及产污节点分析如表 2-6 所示。 表 2-6 计算机及其他电子设备制造产污环节分析列表 生产单元 典型工艺流程 产污节点 污染物 SMT生产线 PCB、焊膏、红胶→印刷→器件贴片→回流焊→检验 回流焊炉 波峰焊炉 手工焊 锡和锡化合物、 铅和铅化合物 THT生产线 器件成型→插装→波峰焊→超声波清洗→检测 PCBA混装 生产线 PCB→SMT→THT→检修→在线测试→功能测试→老 化→机架装配 电路板三防喷 漆 生产线 PCBA→酒精清洗→预烘→保护→驱潮→喷涂清漆→固 化→检验 超声波清洗机 涂覆机、固化炉 VOCs（乙醇、异 丙醇、丙酮等） 机箱/机壳喷 漆 生产线(1) 保护隔离→喷底漆→烘干→打磨→烘干→喷面漆→烘 干→成品 焊接、脱脂、磷 化、喷漆室、烘 干室 VOCs（二甲苯、 甲苯、苯、酯类、 酮类、醇类等） 机箱喷塑生产 线 装挂上线→静电喷粉→高温固化→冷却→下线→成品 喷粉室、固化室 含热废气 注塑生产线 注塑 注塑机 VOCs（二甲苯、 甲苯等） 化学镀生产线 机械粗化→化学除油→水洗→化学粗化→水洗→敏化 →水洗→活化→水洗→解胶→水洗→化学镀→水洗→ 干燥→镀层后处理 化学除油、水洗、 敏化、活化、解 胶、化学镀 甲醛、甲醇、氯化 氢、铬酸雾、硫酸 雾、氨等