CHINA 芯片实例 SRAM6116 容量：2K×8 片内有16384个存储单元，排成128×128的矩阵，构成2K 个字，11条地址线分成7条行地址线A~A10,4条列地址线 A~A3,字长8位，有8条数据线D,~D, ● 双列直插式芯片 。 24个引脚 A10-A0 6116 D7-Do Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE山DYCLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 芯片实例 SRAM 6116 • 容量:2K×8 • 片内有16384个存储单元，排成128×128的矩阵，构成2K 个字，11条地址线分成7条行地址线A4～A10，4条列地址线 A0～A3，字长8位，有8条数据线D7～D0 • 双列直插式芯片 • 24个引脚 A10~A0 6116 D7 ~D0 Vcc GND WE OE CE
芯片实例 SRAM6264 容量：8KX8 双列直插式芯片 28个引脚，其中一个空引脚 内部结构类似SRAM2114 A12A0 〉 6264 D7-Do cs2 Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 芯片实例 SRAM 6264 • 容量：8K×8 • 双列直插式芯片 • 28个引脚，其中一个空引脚 • 内部结构类似SRAM2114 6264 A12~A0 D7 ~D0 Vcc GND WE OE CS1 CS2
SRAM6264时序写时序 A0~A12 33 E D0~D7 Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY SRAM 6264 时序 写时序 tw c A0 ~ A12 CS1 CS2 tw WE D0 ~ D7 tD W
SRAM6264时序 读时序 上 A0-A12 CS2 OE D0~D7 tco Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY SRAM 6264 时序 读时序 tR W A0 ~ A12 CS1 CS2 tO E OE D0 ~ D7 tC O