只读存储器ROM ROM:只读存储器(Read Only Memory),使用时只能读 出其中信息，而不能写入新的信息。OM中信息关机后不 消失 。 按写入方式，ROM分为以下几种类型 。 掩膜ROM(Masked ROM)：生产时已将程序、数据写入其 中，用户只能读出，不能修改 PROM(Programmable ROM):可编程ROM,PROM中的程序 是由用户自行写入的，但一经写入就无法更改了，是一种 次性写入的ROM。 EPROM(Erasable Programmable ROM)：可擦除可编程 ROM, EPROM可由用户自行写入程序，写入后的内容可 用紫外线灯照射来擦除，然后可重新写入内容。EPOM可 多次改写 。 E2PROM (Electrically Erasable Programmable ROM): 电可擦除可编程ROM,可用电信号进行清除和重写的存储 器。E2PROM使用方便，但存取速度较慢，价格较贵 Ji Lin University China COMPUTEP SCIRNCE AND T里CHNOLOG
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 只读存储器ROM • ROM：只读存储器（Read Only Memory），使用时只能读 出其中信息，而不能写入新的信息。ROM中信息关机后不 消失 • 按写入方式，ROM分为以下几种类型 • 掩膜ROM（Masked ROM）：生产时已将程序、数据写入其 中，用户只能读出，不能修改 • PROM（Programmable ROM）：可编程ROM，PROM中的程序 是由用户自行写入的，但一经写入就无法更改了，是一种 一次性写入的ROM。 • EPROM（Erasable Programmable ROM）：可擦除可编程 ROM， EPROM可由用户自行写入程序，写入后的内容可 用紫外线灯照射来擦除，然后可重新写入内容。EPROM可 多次改写 • E 2PROM（Electrically Erasable Programmable ROM）： 电可擦除可编程ROM，可用电信号进行清除和重写的存储 器。E2PROM使用方便，但存取速度较慢，价格较贵
R 存储器芯片的主要技术指标 存储容量：可寻址的存储器单元数×每单元二进制位数， 例如，SRAM6264容量为8K×8,即它有8K个存储单元，每 单元存储8位二进制数 存取时间：存储器访问时间，启动一次存储器操作到完成 该操作所需要的时间 存取周期：连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最 小时间 可靠性：用故障间隔平均时间(MTBF)来表示 功耗：要求低功耗 i Lin University China CpTE型CIENCE AND T厘CHNDOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 存储器芯片的主要技术指标 • 存储容量：可寻址的存储器单元数×每单元二进制位数， 例如，SRAM6264容量为8K×8，即它有8K个存储单元，每 单元存储8位二进制数 • 存取时间：存储器访问时间，启动一次存储器操作到完成 该操作所需要的时间 • 存取周期：连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最 小时间 • 可靠性：用故障间隔平均时间（MTBF）来表示 • 功耗：要求低功耗
5.2 读写存储器RAM 静态RAM基本存储电路 行线X 6个MOS管组成双稳态电路 ?+5 T1截止T,导通为“0”，T1 导通T,截止为“1” T1T2工作管，T3T4负载管， 6管基本 T;T6TTg控制管（其中 存贮电路 TT共用) 写入：X线Y线有效，使 T5T6T,Tg导通，写控制有 效，使单元数据线与外部 列线 数据线连通，靠TT,的截 止与导通记录信息 写控制 读出：X线Y线有效，使 数据线 TT6T,Tg导通，读控制有 读控制 效，使单元数据线与外部 数据线连通，从T端读出 信息 Ji Lin University China COMPUTEP SCIENCE AND TECHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 5.2 读写存储器RAM • 静态RAM基本存储电路 • 6个MOS管组成双稳态电路 • T1截止 T2导通为“0”， T1 导通 T 2 截止 为 “ 1 ” • T 1 T 2工作管 ， T 3 T 4负载管 ， T 5 T 6 T 7 T 8 控制管 （ 其 中 T 7 T 8共用 ） • 写入： X线 Y线有效，使 T 5 T 6 T7 T 8导通，写控制有 效，使单元数据线与外部 数据线连通，靠 T 1 T 2的截 止与导通记录信息 • 读出： X线 Y线有效，使 T 5 T 6 T7 T 8导通，读控制有 效，使单元数据线与外部 数据线连通，从 T 2端读出 信息
静态RAM芯片构成 A2 1A3 列译码电路 列线 2 3 三个部分组成： 0#行线 线 存储体 1#行线 行列译码器 控制电路 行译码电路 酒 3#子线 云批 中心云 数据线 WE Lin University China MPUTER SCIENCE AND TECHNOLO
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 静态RAM芯片构成 • 三个部分组成： 存储体 行列译码器 控制电路
芯片实例SRAM2114 上 容量1K×4 VCC 选择 ·: 存贮矩阵 地 64X64 输入数据控制 列0电路 列选择 18 04 17 47 A0 A1 A2 A9 543025 1 A8 49 2114 14 0 2 1 0 cs 1 /0 GND E WE Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 芯片实例SRAM 2114 • 容量1K× 4