t,时，Φ电极上栅压小于①，电极上栅压，故 ①电极下势阱变浅，势阱变深，电荷更多流向Φ，电极 下。 (由于势阱的不对称性，“左浅右深”， 电荷只能 朝右转移 C 时，①，电极处于高电平，而Φ电极处于低 电平，故电荷聚集到Φ，电极下，实现了电荷从①电极下 到Φ，电极下的转移。 d 同理可知，（时，电荷包从上一位的①电极下转 移到下一位的Φ电极下。因此，时钟脉冲经过一个周期， 电荷包在CCD上移动一位
b t=t2时 ，Φ1电极上栅压小于Φ2电极上栅压，故 Φ1电极下势阱变浅，势阱变深，电荷更多流向Φ2电极 下。（由于势阱的不对称性，“左浅右深”，电荷只能 朝右转移 c t=t3时 ，Φ2电极处于高电平，而Φ1电极处于低 电平，故电荷聚集到Φ2电极下，实现了电荷从Φ1电极下 到Φ2电极下的转移。 d 同理可知，t=t4时 ，电荷包从上一位的Φ1电极下转 移到下一位的Φ1电极下。因此，时钟脉冲经过一个周期， 电荷包在CCD上移动一位
1.1.3电荷注入 在CCD中，电荷注入分为两类：光注入和电注入。 光注入方式 当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的体内产生 电子一空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载 流子则被其收集到势讲中形成信号电荷。 Oin=ngNeoAt N为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积，( 为光注入时间
1.1.3 电荷注入 光注入方式 当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的体内产生 电子—空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载 流子则被其收集到势阱中形成信号电荷。 在CCD中，电荷注入分为两类：光注入和电注入。 Q qN At in = eo N为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积，t 为光注入时间