二元ⅢV族化合物的制备及其特征 6-1Ⅲ-V族化合物半导体的特性
二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征 6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性
6-1-1ⅢV族化合物半导体的晶体结构 回忆 硅的晶体结构;如何形成 Ⅲ-V族化合物半导体 闪锌矿结构 两套面心立方格子沿体对角线移动14长度套 构而成
❖ 回忆: 硅的晶体结构;如何形成 6-1-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体结构 ❖Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体: 闪锌矿结构 ❖ 两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套 构而成
闪锌矿结构 立方晶系 GaAs 面心立方格子
闪锌矿结构 立方晶系 面心立方格子 GaAs
纤锌矿晶体结构 六方晶系 简单六方格子 120° GaN. inN. Bn 60°
纤锌矿晶体结构 六方晶系 简单六方格子 GaN,InN,BN
6-12ⅢV族化合物半导体的能带结构 1GaAs的能带结构 锗和硅的能带结构 Eg=0. 66ev 1.5eV 0. Se\ 0.86eV 0.044ev .28eV k=(1/2,1/2,12)k=(000 k=(100) k=(1/2,12,1/2)k=(000 k=(100) <111轴 <100>轴 <111轴 <100>轴 Ge Si 112eV Ge 0.67eV
6-1-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 锗和硅的能带结构 Si 1.12 eV Ge 0.67 eV 1.GaAs的能带结构