外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层
外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层
薄膜制备技术 冷1.物理气相沉积( Physical Vapor Deposition, PVD) 冷2.化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition, CVD) 3.氧化法(高压氧化法) 4.电镀法 5.涂敷、沉淀法
薄膜制备技术 ❖ 1．物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD） ❖ 2．化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD） ❖ 3．氧化法（高压氧化法） ❖ 4．电镀法 ❖ 5．涂敷、沉淀法
经过数十年的发展,CVD已经成为半导体生 产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用 大都局限在金属膜的沉积上;而CVD几乎所有 的半导体元件所需要的薄膜,不论是导体, 半导体,或者介电材料,都可以沉积 在目前的ⅥS及USI生产过程中,除 了某些材料还在用溅镀法之外,如铝硅铜合 金及钛等,所有其他的薄膜均用CVD法来沉积
❖ 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生 产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用 大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有 的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体， 半导体，或者介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI及ULSI生产过程中，除 了某些材料还在用溅镀法之外，如铝硅铜合 金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积
物理气相淀积(PVD) 蒸发:在真空系统中,金属原子获得足够的 能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽 原子,淀积在晶片上。按照能量来源的不同, 有灯丝加热蒸发和电子東蒸发两种 令溅射:真空系统中充入惰性气体,在高压电 场作用下,气体放电形成的离子被强电场加 速,轰击靶材料,使靶原子逸出并被溅射到 晶片上
物理气相淀积(PVD) ❖ 蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的 能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽 原子，淀积在晶片上。按照能量来源的不同， 有灯丝加热蒸发和电子束蒸发两种 ❖ 溅射：真空系统中充入惰性气体，在高压电 场作用下，气体放电形成的离子被强电场加 速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到 晶片上
化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积(CVD)也称为气相外延 Vapor-phase epitaxy, VPE) 是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺,CVD工 艺包括 常压化学汽相淀积( APCVD)( Atmospheric pressure CVD) 低压化学汽相淀积 LPCVD) 令等离子增强化学汽相淀积( PECVD)( Plasma Enhanced cVD) 金属有机化学气相沉积( MOCVD) 令激光化学气相沉积等
化学气相沉积（CVD）也称为气相外延 （Vapor－phase epitaxy，VPE）， 是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺，CVD工 艺包括 ❖ 常压化学汽相淀积(APCVD)(Atmospheric pressure CVD) ❖ 低压化学汽相淀积(LPCVD) ❖ 等离子增强化学汽相淀积(PECVD)(Plasma Enhanced CVD) ❖ 金属有机化学气相沉积（MOCVD） ❖ 激光化学气相沉积等 化学气相沉积（CVD）