北大微电子:模拟集成电路原理 本讲内容 运放的带宽极限 偏置电路的设计 版图设计 Max gBw Ch.11#1l
北大微电子：模拟集成电路原理 本讲内容 • 运放的带宽极限 • 偏置电路的设计 • 版图设计 Max GBW Ch. 11 # 11
北大微电子:模拟集成电路原理 折叠共源共栅运放 DD M9 M5 M2V b3M7 M8 冈 区vour M3 M4 团 L bI M10 M11 SS Max gBw Ch.11#12
北大微电子：模拟集成电路原理 折叠共源共栅运放 Vb4 Vb3 Vb2 Vb1 Max GBW Ch. 11 # 12
北大微电子:模拟集成电路原理 偏置电路(NMOS) M2、M3串联后的晶体管M23 GS 23\ dsat 23 b2 V +v G23-D GS2 W1/L1若M1、M3肉 b2 W 中W1/NI 而M2取 ,因此M23的等效沟长(N+1)×L1 X 设Vdan1=lm,则 111 b26+(yN+1-1×Vdd 所以N>3 通常N的取值为4~6 Max gBw Ch.11#13
北大微电子：模拟集成电路原理 偏置电路 ( ) NMOS ) 2 3 23 1 1 1 1 M M 串联后的晶体管 M Vb = VGS = Vth + Vdsat 2 3 23 23 、 23 、 串联后的晶体管 V V V V V V M M M GS dsat = + 1 3 1 1 2 1 23 2 若 、 均取 L W M M Vb = Vb + VGS − VGS W 1/L 1 2 23 ( ) 1 1 1 1 1 而 取 ，因此 M 的等效沟长 N L N L W M + × W × 1/NL 1 ( 1 1 ) 1 2 1 设 1 ，则 3 ， 23 V V N V V V V V V N V b b dsat dsat dsat dsat dsat dsat dsat = + + − × = = = + × W /L ( ) 4 ~ 6 2 1 3 2 1 通常 的取值为 ，所以 N Vb Vb Vdsat N b b dsat − > > W 1/L 1 Max GBW Ch. 11 # 13
北大微电子:模拟集成电路原理 偏置电路(PMOS) GSO M4、M5串联后的晶体管M45 WO/L dsat 45 63=V+-Vs+y w2ML2若M0、M5均取 而M2取,",,因此M45的等效沟长(M+1)xL1 w2/L2 MXL 设m=au,则m= dsar l asars=M+1×| b3 M+1-1)×V V4-Vb3>Vm,所以M>3 通常M的取值为4~6 Max gBw Ch.11#14
北大微电子：模拟集成电路原理 偏置电路 ( ) PMOS ) Vb 4 = Vdd − VGS 0 = Vdd − Vth 0 − Vdsat 0 4 5 45 45 、 45 、 串联后的晶体管 V V V V V V M M M W GS dsat 2/L 2 0 5 2 3 4 45 5 若 、 均取 L W M M Vb = Vb − VGS + VGS W 2/ML 2 2 45 ( ) 1 1 2 2 2 而 取 ，因此 M 的等效沟长 M L M L W M L + × W × 2/L 2 ( 1 1 ) 1 3 4 设 0 ，则 5 ， 45 V V M V V V V V V M V b b dsat dsat dsat dsat dsat dsat dsat = − + − × = = = + × W 2/L 2 ( ) 4 ~ 6 3 4 3 通常 的取值为 ，所以 M Vb − Vb > Vdsat M > Max GBW Ch. 11 # 14