北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（模拟集成电路原理与设计）第三章 单级放大器（一）

上一讲 口基本概念 简化模型一开关 ☆结构 符号 口I/V特性 阈值电压 IV关系式 令跨导 口二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 口器件模型 ◇版图、电容、小信号模型等 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 1 上一讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

上一讲重点内容 口MOS管的工作原理 截止区、线性区、饱和区 口大信号特性 线性区:Ib=ACo[(os-vm-Vm21J=V 饱和区:Db=Ca"(a-Vm) 沟道调制效应:Ib=MCm"(as-m)2(1+m)(饱和区 体效应:Vm=Vmo+y(√2①+-√2①) 2qE。N TH O In+2①+上 OX 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 2 上一讲重点内容 MOS管的工作原理 截止区、线性区、饱和区 大信号特性 OX del TH FB F OX si sub TH TH F SB F DS GS TH L W D n ox GS TH L W D n ox GS TH DS DS L W D n ox C Q V V C q N V V V I C V V V I C V V I C V V V V                   , 2 2 ( 2 2 ), ( ) 1 2 1 ( ) 2 1 ] 2 1 [( ) 0 0 2 2 2        体效应： 沟道调制效应： （ ＋ ）（饱和区） 饱和区： 线性区： L  L eff

上一讲重点内容 口小信号等效 vas⑦ 9m vGs(⑦avc 电路 ☆低频 高频 as 9mGs Ero vg9 mvas=ro⑨9mhya GD Cast Vas 9mvGs车。9nmYs vas千csB 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 3 上一讲重点内容 小信号等效 电路 低频 高频

上一讲重点内容 vas⑦gmVa ro 09mbVB 口小信号特性 跨导,。_lnD=Cmx(s-m)=31m=v2Cmx1D VGS-VTl 体跨导gm;gm avu g 2√2Φ。+ 小信号电阻:n2=(如n)+=E=1,=1=1(a) D L 寄生电容: 饱和区:C= WLC+WCoy,CcD=WCop,CcB=场区电容 线性区:Cos=WLn(Cox+WCo,Cm=WLCx+WCo,CB=场区电容 截止区:Cs=C=WCo,Cc=场区电容+Co串联C Cs、C:周长·C+底面积C12C1=C0/(1+V/2 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 4 上一讲重点内容 小信号特性 m SB B jsw j j j R B GS GD OV GB OX d GS eff OX OV GD eff OX OV GB GS eff OX OV GD OV GB DS d D D E EFF E DS D O O m F SB m BS TH TH D BS D mb mb L D W n ox GS TH D GS TH L W n ox GS D m m C C V C C WC C C C WL C WC C WL C WC C C WL C WC C WC C dV dX I I V L V V I r r g V g V V V I V I g g C I V V I C V V V I g g C C ,C C /( 1 / ) , C , 2 1 , 2 1 , , 3 2 ( ) 1 1 , 1 ( ) 2 2 2 2 ( ) D 0 1                                                、 ：周长 底面积 截止区： ＝ 场区电容＋ 串联 线性区： 场区电容 饱和区： 场区电容 寄生电容： 小信号电阻 ： 体跨导 ： 跨导 ：       L  L eff

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