北大微电子:模拟集成电路原理 非主极点的极限频率(1) DD M7 GBW= gr 2T(CL+Cn1) M2 nd 2 VOUT Tt Cn2 Cn2≈2Ccs3+CDB3+CDB1 4c GS3 M3 M4 nd 4 Max gBw Ch.11#6
北大微电子：模拟集成电路原理 非主极点的极限频率（ 1 ） Max GBW Ch. 11 # 6
北大微电子:模拟集成电路原理 非主极点的极限频率(2) DD M7 M9 M8 GBW= B 2πC 团 Vou c1=(1+B)cs4+ DB4VDB2 M1 M2 工 ≈(3+B)ccs4 n1 m nd 2πC M5 M3 M4 n1 B:1 SS 3+B Max gBw Ch.11#7
北大微电子：模拟集成电路原理 非主极点的极限频率（ 2 ） Max GBW Ch. 11 # 7
北大微电子:模拟集成电路原理 高速Mier运放的设计(1) M7 1:B OUT M2 RIC M6 M3 M4 SS Ch.11#8
北大微电子：模拟集成电路原理 高速Miller运放的设计（ 1 ） Max GBW Ch. 11 # 8
北大微电子:模拟集成电路原理 高速Mier运放的设计(2) GBW_ 9m1 2 2πC Cc=阝Cn1=阝ccs6阝 gm nd nd-y GBW ≈2 2πCL1+Cn1/Cc Cn≈cGs6 g f丘 2nC,1+ GS6 f61+ 十 GBH≈丘 16 Max gBw Ch.11#9
北大微电子：模拟集成电路原理 高速Miller运放的设计（2） 6 6 6 m m T T L GS g g f f f C ≈ αβC 1 8 1 1 2 1 1 2 1 6 6 6 T T GS m L m nd f f C g C g f ≈ ⎟⎠⎞ ⎜⎝⎛ + ≈ ⎟⎠⎞ ⎜⎝⎛ + ≈ ⎟⎠⎞ ⎜⎝⎛ + ≈ β αβ β π αβ β π 16 Tf GBW ≈ ⎝ β ⎠ ⎝ β ⎠ ⎝ β ⎠ Max GBW Ch. 11 # 9
北大微电子:模拟集成电路原理 GBW最大值与L的关系 GBW vcs-V≈0.2V GHz sat 10 β≈3 y≈2 or 16x GBW≈ 16 0.1 10 nm 100nm L 1 um Max gBw Ch.11#10
北大微电子：模拟集成电路原理 GBW最大值与 L的关系 Max GBW Ch. 11 # 10