北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（模拟集成电路原理与设计）第四章 差分放大器

上一讲 口放大器基础知识 口电阻做负载的共源级 增益有非线性,电阻精度差或面积大 D Ro ut R M D 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 1 上一讲 放大器基础知识 电阻做负载的共源级 增益有非线性，电阻精度差或面积大 A v  g m R D

上一讲 口二极管接法的MOS管做负载的共源级 ◇线性度好,输出摆幅小,增益不能太大(否 则摆幅小、带宽小) M M 2 M M (W/L)1 A,=-∠n(m/D (W/L21+n up(W/L)2 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 2 上一讲 二极管接法的MOS 管做负载的共源级 线性度好，输出摆幅小，增益不能太大（否 则摆幅小、带宽小） A v   ( W / L ) 1 ( W / L ) 2 1 1   2 1 ( / ) ( / ) W L W L A p n v    

上一讲 口电流源做负载的共源级 增益大 D v·M2 M A=-gm(/‖l2 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 3 上一讲 电流源做负载的共源级 增益大 ( || ) v m o1 o2 A   g r r

上一讲 口深线性区MOS管做负载的共源级 输出可以较大(可以为VDD) 令得到精准的R。n2比较困难;受工艺、温度变 化影响比较大,产生稳定、精确的Vb比较 难 M R v N2 DD THP 电M vn。M 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 4 上一讲 深线性区MOS管做负载的共源级 输出可以较大（可以为VDD ） 得到精准的 Ron2比较困难；受工艺、温度变 化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较 难 A v   gm RON2 RON 2  1 n Cox W L     2 ( VDD  Vb  | VTHP |)

上一讲 口带源极负反馈的共源级 令R使G和增益变为gn的弱函数,提高线性 度 ◆输出电阻大 DD OUT=[1+(8m+8mb]Rs +rol 牺牲了增益 qo↓s G R D Ny\Io R 1+g R S 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计

北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 5 上一讲 带源极负反馈的共源级  R s 使 G m和增益变为 g m的弱函数，提高线性 度 输出电阻大 牺牲了增益 m S m D v m D g R g R A G R      1 ROUT  [1  (gm  gmb ) r o ] R S  ro