北大微电子:模拟集成电路原理 版图、运放设计补充 (第30、31讲) 授课教师:鲁文高 Email: wglu(pku.edu.cn Max gBw Ch ll#1
北大微电子：模拟集成电路原理 版图 、运放设计补充 （第30 、31讲） 授课教师：鲁文高 Email: wglu@pku edu cn wglu@pku.edu.cn Max GBW Ch. 11 # 1
北大微电子:模拟集成电路原理 本讲内容 运放的带宽极限 偏置电路的设计 版图设计 Max gBw Ch.11#2
北大微电子：模拟集成电路原理 本讲内容 • 运放的带宽极限 • 偏置电路的设计 • 版图设计 Max GBW Ch. 11 # 2
北大微电子:模拟集成电路原理 MOSFET的寄生电容 LM D n+ TCcb substrate GS3 WLC OX Max gBw Ch.11#3
北大微电子：模拟集成电路原理 MOSFET的寄生电容 Max GBW Ch. 11 # 3
北大微电子:模拟集成电路原理 MOSFET的截至频率fr GS-VGS CGS DS m gmVGsDS CGs =WLCor, T08m =u, Cor vsat Cor =3 fF/u 时, MOSFET的截至频率 2ncGs.2 27l 从Cm=604/y2,H,Cm=30m4V,反推得n=20×10mh,4=10×10”mB Lmin =0.5u, NOS: Vdsat =0. 21, fr 320×10×0.2 B≈3.8GHz 26.28×0.25 Ch.11#4
北大微电子：模拟集成电路原理 MOSFET的截至频率fT 2 W g V i i f V C fF LW C WLC g C m dsat GS ox m n ox dsat ox 3 MOSFET 3 / 3 2 2 = = = × = = = 时 的截至频率 ，而 ， μ μ μ Hz V m Hz V m C A V C A V C L i i f n ox p ox n p GS GS DS T 60 / 30 / , 20 10 10 10 2 2 2 MOSFET 2 9 2 2 2 9 2 = = = × = × = = = × ， 反推得 ， 时， 的截至频率 μ μ μ μ μ μ μ μ π π L NMOS V V f Hz GHz V V dsat T 3.8 6.28 0.25 20 10 0.2 23 0.5 : 0.2 9 min ≈ × × × = μ， = ， = × Max GBW Ch. 11 # 4
北大微电子:模拟集成电路原理 高增益ws高速 High gain High speed VGs-VT Low(0. 2 V) High(0.5 V) High Low VGS - VT sets the ratio gm/ps Max gBw Ch.11#5
北大微电子：模拟集成电路原理 高增益vs高速 Max GBW Ch. 11 # 5