在Si中,掺P:△E=0.04ev As △ E=0.049eV Sb:△E=0.039eV 施主杂质的电离能小,在常温下基本上电离
在 Si 中，掺 P： △ED=0.044ev As： △ED=0.049ev Sb： △ED=0.039ev 施主杂质的电离能小，在常温下基本上电离
含有施主杂质的半导体,其导电的 载流子主要是电子一N型半导体, 或电子型半导体
含有施主杂质的半导体，其导电的 载流子主要是电子—N 型半导体， 或电子型半导体
2元素半导体中ⅢA族替位杂质的能级 (1)在S中掺入B ○=○a○ B获得一个电子变成 负离子,成为负电 中心,周围产生带 正电的空穴。 B具有得到电子的性质,这类杂质称为受主杂质 受主杂质向价带提供空穴
（1）在Si中掺入B B具有得到电子的性质，这类杂质称为受主杂质。 受主杂质向价带提供空穴。 2.元素半导体中ⅢA族替位杂质的能级 B获得一个电子变成 负离子，成为负电 中心，周围产生带 正电的空穴。 B－ ＋ －