元素半导体的杂质和缺陷 1.VA族的替位杂质 (1)在硅Si中掺入P Si Si Si Si
二、元素半导体的杂质和缺陷 1.ⅤA 族的替位杂质 (1)在硅 Si 中掺入 P = Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖ = Si = P+ ● = Si = ‖ ‖ ‖ = Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖
P原子中这个多余的电子的运动半径远远大 于其余四个电子,所受到的束缚最小,极易 摆脱束缚成为自由电子 P原子具有提供电子的能力,称其为施主杂 质
P原子中这个多余的电子的运动半径远远大 于其余四个电子，所受到的束缚最小，极易 摆脱束缚成为自由电子。 P原子具有提供电子的能力，称其为施主杂 质
对于Ge中的P原子,剩余电子的运动半径 r≈85A° (2)施主电离能
对于 Ge 中的 P 原子，剩余电子的运动半径： r 85A (2)施主电离能
半设施主杂质能级为ED 施主杂质的电离能△ED=弱束缚的电子摆脱束缚 成为晶格中自由运动的 电子(导带中的电子) 所需要的能量 =EC-ED Ec △ED
设施主杂质能级为ED 施主杂质的电离能△ED=弱束缚的电子摆脱束缚 成为晶格中自由运动的 电子（导带中的电子） 所需要的能量 =EC－ED EC ED △ED
对于Si、Ge掺P Ec 二二二二ED △En=E,-E, D Ev 施主能级靠近导带底部
Ec Ev = − E E E D C D 施主能级靠近导带底部 对于Si、Ge掺P ED