脉冲激光沉积的优缺点 可以生长和靶材成分一致的多元化合物薄膜 易于在较低温度下原位生长取向一致的织构膜和外延单晶膜 由于激光的能量高，可以沉积难熔薄膜 灵活的换靶装置便于实现多层膜及超晶格膜的生长 生长过程中可以原位引入多种气体，提高薄膜的质量 污染小 薄膜存在表面颗粒问题 缺点 基片靶材旋转法 很难进行大面积薄膜的均匀沉积 激光束运动 新方法：激光分子束外延 2022/6/8 16
2022/6/8 16 脉冲激光沉积的优缺点 可以生长和靶材成分一致的多元化合物薄膜 灵活的换靶装置便于实现多层膜及超晶格膜的生长 易于在较低温度下原位生长取向一致的织构膜和外延单晶膜 由于激光的能量高，可以沉积难熔薄膜 生长过程中可以原位引入多种气体，提高薄膜的质量 污染小 薄膜存在表面颗粒问题 很难进行大面积薄膜的均匀沉积 基片靶材旋转法 激光束运动 缺点 新方法：激光分子束外延
2.2溅射镀膜技术 溅射镀膜：指的是在真空室中，利用荷能粒子轰击固体表 面，使固体原子或分子从表面射出并在基板上沉积的技术 溅射时入射粒子的来源：气体放电
2.2 溅射镀膜技术 溅射镀膜：指的是在真空室中，利用荷能粒子轰击固体表 面，使固体原子或分子从表面射出并在基板上沉积的技术 溅射时入射粒子的来源：气体放电
2.2.1气体放电原理 2.2.2溅射现象 2.2.3溅射镀膜技术分类及特点
2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点
2.2.1气体放电原理 1.什么是气体放电？ 原子在通常情况下处于最低能量状态，当原子受到电子或离子的非弹性碰撞，若核 外电子脱离原子核束缚而飞离原子核，这就发生了电离产生辉光放电。 气体电离程度的强弱可用电离度来表示。通常把已电离 气体的粒子数与未电离前的粒子总数之比称为电离度。 电子 原子核 电子 氮原子电离过程
2.2.1 气体放电原理 气体电离程度的强弱可用电离度来表示。通常把已电离 气体的粒子数与未电离前的粒子总数之比称为电离度。 原子在通常情况下处于最低能量状态，当原子受到电子或离子的非弹性碰撞，若核 外电子脱离原子核束缚而飞离原子核，这就发生了电离产生辉光放电。 1. 什么是气体放电？
P=133Pa(Ne) 1000 F 2.直流气体放电的 异常辉光 800 典型-V特性 B 汤森放电 600 出 400 正常辉光 D E 弧光 200 ez1a t 14 i 1010 i0-i1i 1022 108106101410-210-1010-8106104102 AB段的气体放电称为非自持暗放电 电流密度J/(A.cm2) CD段：“雪崩区”。离子轰击靶、释放出二次电子，与中性分子碰撞，产生更多离子， 再轰击阴极，又产生新的二次电子。 DE段：电流与电压无关，增大功率时，电压不变，电流增加。 EF段：继续增大功率，呈正电阻特性。溅射一般工作在此区。因为它可以提供面积较大， 分布较均匀的等离子体有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积
2.直流气体放电的 典型I-V特性 CD段：“雪崩区”。离子轰击靶、释放出二次电子，与中性分子碰撞，产生更多离子， 再轰击阴极，又产生新的二次电子。 DE段：电流与电压无关，增大功率时，电压不变，电流增加。 EF段：继续增大功率，呈正电阻特性。溅射一般工作在此区。因为它可以提供面积较大， 分布较均匀的等离子体有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积。 AB段的气体放电称为非自持暗放电