第1章MIS场效应晶体管基础 目录 1.1半导体中的电子状态与载流子 1.2载流子的传输 1.3pn结和金属-半导体接触 1.4金属-绝缘层-半导体(MS)结构 1.5MS场效应晶体管 本章重点 (1)TFT和MOS FET的结构与工作原理 (2)基于MISFET的最简模型得到场效应管的特性参数
目录 1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.5 MIS场效应晶体管 第1章 MIS场效应晶体管基础 （1）TFT和MOS FET的结构与工作原理 （2）基于MISFET的最简模型得到场效应管的特性参数 本章重点
1.1半导体中的电子状态与载流子 1.1.1半导体材料的结构与能带形成 1.1.2半导体中的载流子 1.1.3半导体中载流子的统计分布
1.1 半导体中的电子状态与载流子 、 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布
1.1.1半导体材料的结构与能带形成 按照构成固体的粒子在空间的排列情况，可以将固体分为： (a)无定形 )多晶 (C单晶 不存在 在小区域 固体内的原子 长程有序 内完全有序 排列有序的阵列
按照构成固体的粒子在空间的排列情况，可以将固体分为： 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成
以硅单晶体为例 硅晶体中任何一原子都有4个最近邻的原子与之形成共价 键。一个原子处在正四面体的中心，其它四个与它共价的 原子位于四面体的顶点，向空间无限伸展成空间网状结构 -金刚石结构
以硅单晶体为例 硅晶体中任何一原子都有4个最近邻的原子与之形成共价 键。一个原子处在正四面体的中心，其它四个与它共价的 原子位于四面体的顶点,向空间无限伸展成空间网状结构 ----金刚石结构
硅原子能级分裂成为能带 导带 电子能量 Ec Eg=带隙 反键态 导带 Ev 价带 8p3 Er 价带 成键态 硅原子 硅晶体
硅原子 硅晶体 导带 价带 EF 反键态 成键态 电 子 能 量 价带 导带 Eg=带隙 Ec Ev 硅原子能级分裂成为能带