第6章有机薄膜晶体管 简介 6.1有机半导体中的电子状态与载流子 6.2载流子的注入与传输机理 6.3OTFT的结构、原理与特性 6.4OTFT中的关键材料 6.5有机半导体材料的成膜技术 .6OTFT中的掺杂 6.7OTFT中的图形化技术
第6章 有机薄膜晶体管 简介 6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术
问题？ 1.0TFT的图形化技术有哪些？ 8.0TFT的功耗怎样？可以集成吗？ 2. OT℉T的载流子迁移率怎么样？ 9.OT℉T折叠后的性能怎样？ 10.0TFT的开关速度怎么样？ 3. 0TFT的工艺温度怎样？ 11.将0TFT的玻璃基板换成塑料基板会 4. 有机半导体的能带结构及导电机理是 怎么样？ 怎样的？ 12.0TFT的均匀性怎么样？ 5. 0TFT是怎样发光的？ 13.0TFT的制造工艺复杂程度怎么样？ 6. 0TFT的稳定性如何？能够做成大面积 14.制备OTFT的主流技术是什么？ 吗？ 15.0TFT中不同的介电常数在其中起到 7.0T℉T的阈值电压漂移问题怎样解决？ 的作用是什么
问题？ 1. OTFT的图形化技术有哪些？ 2. OTFT的载流子迁移率怎么样？ 3. OTFT的工艺温度怎样？ 4. 有机半导体的能带结构及导电机理是 怎样的？ 5. OTFT是怎样发光的？ 6. OTFT的稳定性如何？能够做成大面积 吗？ 7. OTFT的阈值电压漂移问题怎样解决？ 8. OTFT的功耗怎样？可以集成吗？ 9. OTFT折叠后的性能怎样？ 10. OTFT的开关速度怎么样？ 11. 将OTFT的玻璃基板换成塑料基板会 怎么样？ 12. OTFT的均匀性怎么样？ 13. OTFT的制造工艺复杂程度怎么样？ 14. 制备OTFT的主流技术是什么？ 15. OTFT中不同的介电常数在其中起到 的作用是什么
简介 发展历史： 1977年发现导电高分子 1986年利用polythiophenet制成第一个0TFT,载流子迁移率为10-5cm/W·s Tsumura,Koezuka,and Ando of Mitsubishi Chemical Integrated circuits in-situ polymerized polythipohene Appl.Phy.Lett.1986,49,1210
简介 发展历史： 1977年发现导电高分子 1986年利用polythiophene制成第一个OTFT，载流子迁移率为10-5cm2/V·s in-situ polymerized polythipohene Tsumura, Koezuka, and Ando of Mitsubishi Chemical
有机半导体与无机半导体的典型特征 无机半导体 有机半导体 特性 原子（分子)结合力 共价键和离子键为主 范德华力为主 结构 严格的晶体结构 分子结构多样 加工工艺 大多需要高温、真空 真空镀膜甚至溶液法，低温 ,工艺复杂 工艺，工艺相对简单 成本 较高 具有低成本的潜力 柔性 实现柔性相对困难 能够实现柔性器件
有机半导体与无机半导体的典型特征 特性 无机半导体 有机半导体 原子（分子）结合力 共价键和离子键为主 范德华力为主 结构 严格的晶体结构 分子结构多样 加工工艺 大多需要高温、真空 ，工艺复杂 真空镀膜甚至溶液法，低温 工艺，工艺相对简单 成本 较高 具有低成本的潜力 柔性 实现柔性相对困难 能够实现柔性器件
6.1OSC中的电子状态与载流子 6.1.1有机半导体的分子结构 6.1.2有机半导体的能带结构 6.1.3有机半导体中的载流子
6.1 OSC中的电子状态与载流子 6.1.1 有机半导体的分子结构 6.1.2 有机半导体的能带结构 6.1.3 有机半导体中的载流子