第4章低温多晶硅薄膜晶体管 简介 4.1多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.4非晶硅晶化技术
第4章 低温多晶硅薄膜晶体管 简介 4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.4 非晶硅晶化技术
简介 p-Si TFT分为低温与高温TFT两类。LTPS TFT-LCD器件要比 HTPS TFT-LCD器件具有更低的成本，更简单的工艺和更大的应 用范围 LTPS与HTPS TFT-LCD的比较 性能 LTPS HTPS 工艺温度(C) <600 >900 基板 玻璃 石英 晶化方法 ELA SPC 栅极绝缘层制造方法 PECVD 热处理 基础工艺 非晶硅TFT Si-LSI 应用 直视显示，投影显示 投影显示
简介 • p-Si TFT分为低温与高温TFT两类。LTPS TFT-LCD器件要比 HTPS TFT-LCD器件具有更低的成本，更简单的工艺和更大的应 用范围 性能 LTPS HTPS 工艺温度（℃） <600 >900 基板 玻璃 石英 晶化方法 ELA SPC 栅极绝缘层制造方法 PECVD 热处理 基础工艺 非晶硅TFT Si-LSI 应用 直视显示，投影显示 投影显示 LTPS与HTPS TFT-LCD的比较
多晶硅与非晶硅性能比较 性能参数 非晶硅 多晶硅 迁移率 ≤1cm2Vs 几十~几百 沉积温度 ≤300C ≤600℃（低温多晶硅) 光敏性 高 低 玻璃基底 可用 可用（低温多晶硅） TFT类型 N-ch N-ch,P-ch TFT体积 大 小
多晶硅与非晶硅性能比较 性能参数 非晶硅 多晶硅 迁移率 ≤1cm2 /V·s 几十～几百 沉积温度 ≤300℃ ≤600℃（低温多晶硅） 光敏性 高 低 玻璃基底 可用 可用（低温多晶硅） TFT类型 N-ch N-ch, P-ch TFT体积 大 小
LTPS-TFT发展的动力 多晶硅迁移率高，导通电流lON大，液晶象素的充电速 度快 ,多晶硅TFT尺寸小，寄生电容小 p-ch TFT可行，可将周边LS集成到显示屏基片上，减 少引出端数量，提高可靠性，降低成本
LTPS-TFT发展的动力 • 多晶硅迁移率高，导通电流ION大，液晶象素的充电速 度快 • 多晶硅TFT尺寸小，寄生电容小 • p-ch TFT可行，可将周边LSI集成到显示屏基片上，减 少引出端数量，提高可靠性，降低成本
LTPS-TFT发展历史 ,对LTPS TFT-LCD技术的研究起始于上世纪80年代中期 ,1996年，SANY0率先量产小型LTPS面板，6.35cm屏对角线的产品 问世； 1998年，日本东芝公司开始批量生产LTPS TFT--LCD器件，其尺寸 已达38.1cm,分辨率也达到了UXGA（1600×1200)级 ·1999年LTPS-TFT驱动AMOLED已有重大突破 2000以来，基于LTPS-TFT的中小尺寸LCD、OLED显示器大规 模应用
LTPS-TFT发展历史 • 对LTPS TFT-LCD技术的研究起始于上世纪80年代中期 • 1996年，SANYO率先量产小型LTPS面板，6.35cm屏对角线的产品 问世； • 1998年，日本东芝公司开始批量生产LTPS TFT-LCD器件，其尺寸 已达38.1cm，分辨率也达到了UXGA（1600×1200）级 • 1999年LTPS-TFT驱动AMOLED已有重大突破 • 2000以来，基于LTPS-TFT的中小尺寸LCD、OLED显示器大规 模应用